[发明专利]D触发器电路

权利要求书

1.一种D触发器电路，其特征在于，包括：第一触发电路、第二触发电路和反相器；

所述第一触发电路包括第一与非门电路和第二与非门电路；所述第二触发电路包括第三与非门电路和第四与非门电路；

所述第一与非门电路的输入接触发信号和时钟信号，所述第一与非门电路的输出作为第二与非门电路的一路输入，所述第二与非门电路的输出为D触发器的第一输出；

所述第三与非门电路的一路输入接时钟信号，另一路输入经所述反相器接触发信号，所述第三与非门电路的输出为所述第四与非门电路的一路输入；

所述第四与非门电路的另一路输入接所述第二与非门电路的输出，所述第四与非门电路的输出为第二与非门的另一路输入，且作为D触发器的第二输出；

所述第一与非门电路、第二与非门电路、第三与非门电路和第四与非门电路均包括串联连接的双栅氮化镓增强型MOS管和单栅耗尽型MOS管。

2.根据权利要求1所述的D触发器电路，其特征在于，所述双栅氮化镓增强型MOS管和单栅耗尽型MOS管均为N沟道，所述单栅耗尽型MOS管的漏极接电源，所述单栅耗尽型MOS管的源极经串联的双栅氮化镓增强型MOS管接地。

3.根据权利要求1所述的D触发器电路，其特征在于，所述反相器包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管和第二MOS管串联连接，且所述第一MOS管连接电源。

4.根据权利要求3所述的D触发器电路，其特征在于，所述第一MOS管为N沟道增强型MOS管，所述第二MOS管为N沟道耗尽型MOS管。

5.根据权利要求1所述的D触发器电路，其特征在于，所述双栅氮化镓增强型MOS管是对两个栅极通过不同深度的刻蚀以进行阈值电压调制后得到的。

6.根据权利要求5所述的D触发器电路，其特征在于，所述双栅氮化镓增强型MOS管以氧化铝作为介电层。