[发明专利]一种判断砷化镓晶体中线性孪晶长度的方法

权利要求书

1.一种判断砷化镓晶体中线性孪晶长度的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.预处理晶片，测量晶片头部一端线性孪晶的任意一端点到晶片侧面的垂直距离；

S2.根据线性孪晶和晶体角度偏转的方向和角度有关联性，得出线性孪晶长度计算公式：

H=Ltan（θ+β）式1

式1中，θ为任一晶面和孪晶面的夹角，θ+β为晶体端面和孪晶面的夹角，β为由一晶面往孪晶面偏转的度数，L代表晶片头部一端线性孪晶的任意一端点到晶片侧面的垂直距离，H表示需要切割的长度；

式2为根据晶面指数计算晶面夹角的公式，（h，k，l）代表晶面指数，式2中的h1、k1和l1代表任一晶面的晶面指数；式2中的h2、k2和l2代表孪晶面的晶面指数；

S3.通过计算的切割长度，按照切割的长度，对待检测晶片切除相应的孪晶；

其中，S1中，所述预处理为：从晶体头部切取待检测晶片，对待检测晶片进行化学药剂腐蚀，显示出晶片头部和晶片尾部两面的线性孪晶；所述化学药剂为氢氧化铵、过氧化氢和纯水的混合药液；所述混合药液中，氢氧化铵、过氧化氢和纯水的质量比为1-3:1-3:1；

所述晶面为（100）面，所述孪晶面为（111）面。

2.根据权利要求1所述的判断砷化镓晶体中线性孪晶长度的方法，其特征在于，所述对待检测晶片进行化学药剂腐蚀包括：将待检测晶片浸泡于所述混合药液中腐蚀2-8min。

3.根据权利要求1所述的判断砷化镓晶体中线性孪晶长度的方法，其特征在于，从晶体头部切取待检测晶片的切取方法为：使用内圆切片机或单线切割机，从晶体的头部即线性孪晶出现的端面作为切割的起始端。

4.根据权利要求3所述的判断砷化镓晶体中线性孪晶长度的方法，其特征在于，所述晶体头部按600-1200μm的厚度切取。