[发明专利]一种零VOC排放的POS机用色浆

权利要求书

1.一种零VOC排放的POS机用色浆，其特征在于，按照重量份数计包括：水50份、色粉30~45份、零VOC表面活性剂10~20份、保湿剂10~15份、流变改性剂5~10份、pH调节剂1~5份以及功能性添加剂0~5份；

其中，所述零VOC表面活性剂为核心为有机硅结构，端基结构为磷酸酯结构的超支化聚合物；

所述流变改性剂由第一改性二氧化硅以及第二改性二氧化硅按照质量比（1~3）：1复配得到，其两者的制备方法如下：

（a）二氧化硅表面改性：将气相法二氧化硅分散在水溶液中，形成并在水溶液中加入等质量的硅烷偶联剂KH-570，30~50℃下搅拌反应0.5~1.5h后，过滤水洗烘干，得到硅烷改性二氧化硅；

（b）第一改性二氧化硅制备：将硅烷改性二氧化硅分散于水中，加入丙烯酰胺以及过硫酸钾，搅拌条件下升高温度至85~95℃，反应0.5~1.5h后，降至室温，然后在搅拌条件下将反应液滴加至甲醇中，过滤得滤渣，烘干研磨后得到第一改性二氧化硅；

（c）第二改性二氧化硅制备：将硅烷改性二氧化硅分散于水中，加入丙烯酸以及过硫酸钾，搅拌条件下升高温度至85~95℃，反应0.5~1.5h后，降至室温后加入氢氧化钠中和，然后在搅拌条件下将反应液滴加至甲醇中，过滤得滤渣，烘干研磨后得到第二改性二氧化硅。

2.根据权利要求1所述的一种零VOC排放的POS机用色浆，其特征在于，所述零VOC表面活性剂的制备方法如下：

（S.1）将甲基氢环硅氧烷、乙烯基三甲氧基硅烷、有机溶剂以及铂催化剂加入到反应釜中，发生硅氢加成反应，得到有机硅核心A；

（S.2）将有机硅核心A、二甲基氯硅烷、有机溶剂以及催化剂氯化铁加入到反应釜中，得到端基为硅氢结构的有机硅核心B；

（S.3）将有机硅核心B、2-丁烯-1,4-二醇、有机溶剂以及铂催化剂加入到反应釜中，再次发生硅氢加成反应，得到多元醇；

（S.4）将得到的有机硅多元醇与五氧化二磷混合，升温搅拌反应一定时间后，加入碱液中和，然后经过萃取提纯，得到零VOC表面活性剂。

3.根据权利要求2所述的一种零VOC排放的POS机用色浆，其特征在于，所述步骤（S.1）中甲基氢环硅氧烷中硅氧链节的数量为3~8，乙烯基三甲氧基硅烷与甲基氢环硅氧烷中的硅氢基团的摩尔比为（1~1.2）：1，硅氢加成反应温度在75~90℃之间，反应时间1~5h。

4.根据权利要求2所述的一种零VOC排放的POS机用色浆，其特征在于，所述步骤（S.2）中二甲基氯硅烷的摩尔量为有机硅核心A中烷氧基摩尔量的1~1.5倍，反应温度为40~60℃，反应时间5~8h。

5.根据权利要求2所述的一种零VOC排放的POS机用色浆，其特征在于，所述步骤（S.3）2-丁烯-1,4-二醇的摩尔量为有机硅核心B中硅氢键的摩尔量的1~1.5倍，硅氢加成反应温度在75~90℃之间，反应时间3~5h。

6.根据权利要求2所述的一种零VOC排放的POS机用色浆，其特征在于，所述步骤（S.4）中五氧化二磷的摩尔量为有机硅多元醇中羟基摩尔量的1/4~1/2，反应温度为65~75℃，搅拌反应时间3~6h。

7.根据权利要求1~6中任意一项所述的一种零VOC排放的POS机用色浆，其特征在于，所述零VOC表面活性剂还经过超临界二氧化碳处理。

8.根据权利要求7所述的一种零VOC排放的POS机用色浆，其特征在于，所述超临界二氧化碳处理时的压力为10~25MPa，温度为35~45℃，超临界处理时间为1~5h。

9.根据权利要求1所述的一种零VOC排放的POS机用色浆，其特征在于，

步骤（b）中，硅烷改性二氧化硅、丙烯酰胺以及过硫酸钾的质量之比为100：（20~30）：（1~3）；

步骤（c）中，硅烷改性二氧化硅、丙烯酸以及过硫酸钾的质量之比为100：（20~30）：（1~3）。