[发明专利]一种近红外导电滤光片的镀膜方法

说明书

本发明涉及光学技术领域，尤其是一种近红外导电滤光片的镀膜方法，该镀膜方法在一镀膜空间内于基板的一侧表面进行滤光层的镀制；完成后，使滤光层及镀膜空间冷却；在一定预设温度的镀膜空间内，将ITO层镀制于滤光层的一侧表面上，在ITO层的镀制过程中，向镀膜空间内通入预设量的氧气和氢气。本发明的优点是：制得的近红外导电滤光片在红外波段具有较高透过率的同时，具有较低的面电阻；镀膜方法可控，具有较广的应用范围，利于工业生产，适于推广。

技术领域

本发明涉及光学技术领域，尤其是一种近红外导电滤光片的镀膜方法。

背景技术

随着人工智能产品的加速发展，很多智能产品的企业都需要用到红外滤光片，红外滤光片的应用非常广泛，例如可应用在红外探测、红外感应、通讯等领域。通常利用真空溅射工艺在红外滤光片表面形成导电的氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)层。并且，需要增大ITO层的厚度来降低其面电阻，以获得较好的导电效果。然而，ITO层厚度增大导致其透过率明显降低。

发明内容

本发明的目的是根据上述现有技术的不足，提供了一种近红外导电滤光片的镀膜方法，在保证滤光片透过率的同时有效降低ITO层的面电阻，提高其使用性能。

本发明目的实现由以下技术方案完成：

一种近红外导电滤光片的镀膜方法，所述近红外导电滤光片包括依次层叠的基板、滤光层以及ITO层，其特征在于：在一镀膜空间内进行所述滤光层的镀制；完成后，使所述滤光层及所述镀膜空间冷却；在预设温度的所述镀膜空间内，将所述ITO层镀制于所述滤光层的一侧表面上，在所述ITO层的镀制过程中，向所述镀膜空间内通入预设量的氧气和氢气。

所述镀膜空间的预设温度为100℃以下。

所述镀膜空间的预设温度为45-100℃。

所述氧气和所述氢气的通入体积流量比为3:1-15:1。

所述氧气和所述氢气的通入体积流量比为4:1-8:1。

所述滤光层包括依次交替镀制在所述基板上的氢化硅层和二氧化硅层，所述ITO层镀制在最外层的所述二氧化硅层表面。

在所述基板的另一侧表面镀制AR层。

所述AR层为依次交替镀制在所述基板另一侧表面的二氧化硅层和氮化硅层。

采用溅射镀膜工艺进行所述滤光层以及所述ITO层的镀制。

采用等离子体对所述ITO层的ITO靶材进行轰击，所述ITO靶材的原子经过ICP后在所述滤光层表面形成所述ITO层。

本发明的优点是：制得的近红外导电滤光片在红外波段具有较高透过率的同时，具有较低的面电阻；镀膜方法可控，具有较广的应用范围，利于工业生产，适于推广。

附图说明

图1为本发明中一实施例的工艺流程图；

图2为本发明中一实施例的工艺参数图；

图3为本发明制得的近红外导电滤光片的透过率测试图。

具体实施方式

以下结合附图通过实施例对本发明特征及其它相关特征作进一步详细说明，以便于同行业技术人员的理解：

实施例：本实施例中的近红外导电滤光片的镀膜方法用于近红外导电滤光片的镀制。该近红外导电滤光片包括玻璃基板，在玻璃基板一侧表面镀制有由氢化硅层和二氧化硅层交替构成的滤光层，在该滤光层上镀制有ITO层，同时在玻璃基板的另一侧表面镀制有由二氧化硅层和氮化硅交替构成的AR层，该AR层可起到增透作用。

基于上述近红外导电滤光片，如图1所示，本实施例中的镀膜方法包括如下步骤：