[发明专利]一种基于磁性隧道结的太赫兹波调制器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于磁性隧道结的太赫兹波调制器，其特征在于，包括：

衬底(106)及固定于所述衬底(106)上的复合膜异质结构；

所述复合膜异质结构包括固接于衬底(106)上的反铁磁钉扎层(105)、固定于所述反铁磁钉扎层(105)上的第一铁磁层(104)、固定于所述第一铁磁层(104)上的绝缘层(103)、固定于所述绝缘层(103)上的第二铁磁层(102)及固定于所述第二铁磁层(102)上的覆盖层(101)。

2.如权利要求1所述的一种基于磁性隧道结的太赫兹波调制器，其特征在于，所述复合膜异质结构的厚度为10-200nm。

3.如权利要求1所述的一种基于磁性隧道结的太赫兹波调制器，其特征在于，所述衬底的材料包括高阻硅片、熔融石英片、氧化镁或蓝宝石。

4.如权利要求1所述的一种基于磁性隧道结的太赫兹波调制器，其特征在于，所述反铁磁钉扎层(105)的材料包括IrMn、Mn₂Au或Mn₃Sn。

5.如权利要求1所述的一种基于磁性隧道结的太赫兹波调制器，其特征在于，所述第一铁磁层(104)的材料包括Ni、Co、Fe、NiCoFe、CoFeB、NdFeB、NiFe、CoPt或Co₂MnSn，厚度为1～10nm。

6.如权利要求1所述的一种基于磁性隧道结的太赫兹波调制器，其特征在于，所述绝缘层(103)为氧化物或者惰性金属，包括MgO或Ru。

7.如权利要求1所述的一种基于磁性隧道结的太赫兹波调制器，其特征在于，所述第二铁磁层(102)的材料包括Ni、Co、Fe、NiCoFe、CoFeB、NdFeB、NiFe、CoPt或Co₂MnSn，厚度为1～10nm。

8.如权利要求1所述的一种基于磁性隧道结的太赫兹波调制器，其特征在于，所述覆盖层(101)为氧化物或者惰性金属，包括MgO、Ta或Al₂O₃，厚度为2-5nm。

9.如权利要求1所述的一种基于磁性隧道结的太赫兹波调制器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S206、进行衬底的选择与清洗，准备镀膜的材料；

S205、位于衬底上进行沉积反磁铁材料形成反铁磁钉扎层(105)；

S204、位于所述S205上的反铁磁钉扎层(105)上形成第一铁磁层(104)；

S203、位于步骤S204中的第一铁磁层(104)上沉积绝缘材料形成绝缘层(103)；

S202、位于步骤S203的绝缘层(103)上形成第二铁磁层(102)；

S201、位于步骤S202的第二铁磁层(102)上沉积形成覆盖层(101)。