[发明专利]一种光刻胶及图案化方法

说明书

本申请提供一种光刻胶及图案化方法，属于光刻技术领域。光刻胶包括树脂材料和感光剂，树脂材料发生去保护反应时能够产生羧酸和/或酚羟基。感光剂包括第一感光化合物和第二感光化合物，第一感光化合物的结构如式I所示，第二感光化合物如式II所示。图案化方法包括：采用光刻胶形成光刻胶层，并采用包括G线、H线和I线的混合光源通过掩模板对光刻胶层进行曝光，然后显影去除光刻胶层的曝光部分形成光刻胶图案。光刻胶在具有较好的光敏性和固化后透过率的情况下，能够兼具较好的曝光后环境稳定性。

技术领域

本申请涉及光刻技术领域，具体而言，涉及一种光刻胶及图案化方法。

背景技术

目前的面板制造过程中，普通工艺分离ITO与TFT所使用的为SiNx薄膜，但是由于SiNx薄膜其开口率过低，因此在一些情况下采用了有机绝缘膜代替SiNx薄膜。

传统的有机绝缘膜光敏性较差而且固化后透明性也较差，严重影响产能和透过率。为了解决上述问题，一些现有技术中采用化学放大型体系制作有机绝缘膜，在达到较高的光敏性的同时，可以有效提高其固化后的透过率。但是研究发现，传统的化学放大型光刻胶，环境稳定性不佳，曝光后容易出现图形变形的情况。

发明内容

本申请的目的在于提供一种光刻胶及图案化方法，光刻胶在具有较好的光敏性和固化后透过率的情况下，能够兼具较好的曝光后环境稳定性。

本申请的实施例是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供一种光刻胶，包括：树脂材料和感光剂，树脂材料发生去保护反应时能够产生羧酸和/或酚羟基，感光剂包括第一感光化合物和第二感光化合物，第一感光化合物的结构如式I所示，第二感光化合物如式II所示。

(式I)。

(式II)。

其中，R₁、R₂、R₃和R₄中的至少三者的结构如式III或式IV所示，剩余为氢基；R₅为烷基或芳香基；R₆为烷基、烷氧基或芳香基。

(式III)。

(式IV)。

第二方面，本申请实施例提供一种图案化方法，包括：采用如第一方面实施例提供的光刻胶形成光刻胶层，并采用包括G线、H线和I线的混合光源通过掩模板对光刻胶层进行曝光，然后显影去除光刻胶层的曝光部分形成光刻胶图案。

本申请实施例提供的光刻胶及图案化方法，有益效果包括：

本申请的光刻胶，采用特定的树脂材料与感光剂配合，使得光刻胶具有较好的光敏性，且在固化后具有较高的透过率。感光剂中采用特定的第一感光化合物和第二感光化合物配合，能够提高光刻胶在曝光后的环境稳定性，从而有效改善曝光后延迟时间内图形尺寸发生变化的问题。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。

需要说明的是，本申请中的“和/或”，如“特征1和/或特征2”，均是指可以单独地为“特征1”、单独地为“特征2”、“特征1”加“特征2”，该三种情况。

另外，在本申请的描述中，除非另有说明，“一种或多种”中的“多种”的含义是指两种及两种以上；“数值a～数值b”的范围包括两端值“a”和“b”，“数值a～数值b+计量单位”中的“计量单位”代表“数值a”和“数值b”二者的“计量单位”。

下面对本申请实施例的光刻胶及图案化方法进行具体说明。