[发明专利]一种光转换紫外光束分析仪的制备方法

权利要求书

1.一种光转换紫外光束分析仪的制备方法；其包括：滤光片、紫外探测透明陶瓷片、CCD图像处理器；特征在于将经过处理后的紫外探测透明陶瓷片封装在CCD图像处理器表面，然后在紫外探测透明陶瓷片表面覆盖可见光滤光片，采用感光胶封装器件；当紫外光通过滤光片后在紫外探测透明陶瓷片表面被转换成可见光，然后被CCD感光芯片接受，通过光电转换系统将可见光光斑记录下来，通过对光斑的处理可计算出紫外光在传输过程中的稳定性以及损耗；可用于制造光刻机中的能量控制器，光束形状设置器等检测设备，可实现对大功率的DUV以及EUV激光的光束分析；该技术在激光通信、光束分析、激光校准等领域有比较广泛的应用场景。

2.如权利要求1所述的一种光转换紫外光束分析仪的制备方法；其特征在于所述的滤光片的有效过率波段范围为300nm-700nm，吸收率达99%以上，有效的隔绝外部可见光对检测结果的影响。

3.如权利要求1所述的一种光转换紫外光束分析仪的制备方法；其特征在于所述的紫外探测透明陶瓷片是一种可以将紫外不可见激光转换成可见光的材料，其吸收波段范围为10nm-200nm，其发射波段为530nm-660nm，可根据CCD的感光峰值匹配不同的紫外探测透明陶瓷片。

4.如权利要求1所述的一种光转换紫外光束分析仪的制备方法；其特征在于CCD图像处理器是一种可将可见光转换成电信号，然后通过光电转换系统输出为图像的处理器。

5.如权利要求1所述的一种光转换紫外光束分析仪的制备方法；其特征在于所述的紫外探测透明陶瓷片为LuAG;Ce、YAG；Ce、GOS;Eu中的一种或多种；其中LuAG;Ce体系的特征吸收波段为100-200nm，发射波段为530nm-550nm，功率有效探测范围10mW -10W；其中YAG；Ce体系的吸收波段为150nm-200nm，发射波段为560nm-610nm，功率有效探测范围100mW -10W;其中GOS;Eu体系的吸收波段为100nm-200nm，发射波段为610nm-660nm，功率有效探测范围100mW -30W。

6.如权利要求1所述的一种光转换紫外光束分析仪的制备方法；其特征在于所述的LuAG;Ce、YAG；Ce紫外探测透明陶瓷片的制备方法为首先通过水热法制备出纳米前驱体材料，前驱体粒度分布范围为30-100nm；然后将前驱体置于1200-1550℃、60-200MPa的条件下通过放电等离子体烧结1-3h，得到LuAG;Ce、YAG；Ce块体，然后采用离子注入的方式补充烧结过程中丢失的掺杂离子Ce，随后将LuAG;Ce、YAG；Ce块体在500℃条件下在马弗炉中退火30min，退火过程中使用氮气保护气体；然后将退火后的LuAG;Ce、YAG；Ce块体在1300℃-1500 ℃、150-250MPa的惰性气体环境内进行热等静压二次烧结，烧结时间为3-6小时，完成后将得到的LuAG;Ce、YAG；Ce陶瓷片进行抛光、切割等处理方式得到90%-100%致密的LuAG;Ce、YAG；Ce紫外探测透明陶瓷片。

7.如权利要求1所述的一种光转换紫外光束分析仪的制备方法；其特征在于所述的GOS;Eu紫外探测透明陶瓷片的制备方法为首先通过水热法制备出纳米前驱体材料，前驱体粒度分布范围为20-70nm；然后将前驱体置于1000-1150℃、30-150MPa的条件下通过放电等离子体烧结3-5h，得到GOS;Eu块体，然后采用离子注入的方式补充烧结过程中丢失的掺杂离子Eu，随后将GOS;Eu块体在500℃条件下在马弗炉中退火30min；退火过程在硫气氛中进行，然后将退火后的GOS;Eu块体在1200℃-1300 ℃、100-200MPa的惰性气体环境内进行热等静压二次烧结，烧结时间为6-8小时，完成后将得到的GOS;Eu陶瓷片进行抛光、切割等处理方式得到80%-97%致密的GOS;Eu紫外探测透明陶瓷片。

8.如权利要求1所述的一种光转换紫外光束分析仪的制备方法；根据CCD芯片尺寸大小切割所需的紫外探测透明陶瓷片规格，利用紫外固化工艺将陶瓷片封装到CCD芯片表面，然后将滤光片贴合在陶瓷片表面，置于真空紫外固化箱内，先真空静置30min，然后进行紫外封装，完成后得到紫外光束可视化检测仪，可直接将紫外不可见光转换成可见光，同时可以分析激光传输过程的稳定性，计算激光传播的过程中的功率损耗，调整光斑形状及尺寸。