[发明专利]掩模检查设备和方法在审
申请号: | 202110702905.3 | 申请日: | 2021-06-24 |
公开(公告)号: | CN114114828A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 白大源 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | G03F1/84 | 分类号: | G03F1/84 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 郭艳芳;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 检查 设备 方法 | ||
本发明提供一种掩模检查设备和方法。具体地,提供一种用于检查沉积掩模的掩模检查方法和掩模检查设备。掩模检查方法包括:提供包括多个第一开口和多个第二开口的沉积掩模,第一开口中的每一个具有在平面图中不同于第二开口中的每一个的形状的形状;指定第一组和第二组,每一组包括第一开口中的至少一个和第二开口中的至少一个;比较第一组的图像与第二组的图像;以及确定第一组和第二组是否有缺陷,第一组中的第一开口和第二开口的布置与第二组中的第一开口和第二开口的布置相同。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年6月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0079076号的优先权和权益,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本公开的实施例的各方面涉及一种掩模检查设备和一种掩模检查方法。
背景技术
通常,有机发光二极管(OLED)显示器由于其优异的亮度和视角特性,并且与液晶显示装置不同,其不需要任何单独的光源,而作为下一代平板显示装置受到关注。在消除了任何单独光源的必要性的情况下,可以制造出具有重量轻且薄的设计的OLED显示器。OLED显示器的特征还在于低功耗、高亮度和高反应速率等。
OLED显示器包括多个有机发光二极管,每个有机发光二极管由阳极、有机发光层和阴极组成。在制造有机发光二极管的工艺中,将沉积掩模设置在基板上,并通过形成在沉积掩模中的开口将有机材料提供到基板上,以形成有机发光层。随着技术的进步,显示装置具有越来越多的有机发光二极管,以满足高分辨率要求。
有机发光二极管的数量增加意味着用于制造有机发光层的沉积掩模的开口的数量增加。这种沉积掩模由包括金属的材料形成,并且由于制造问题,可能并非多个开口中的所有开口都具有图案中所期望的精确形状。这可能导致沉积图案中的缺陷。为了避免这种缺陷,预先检查掩模。
发明内容
根据本公开的实施例的各方面,提供了能够一次检查具有不同形状的开口的掩模的任何缺陷的掩模检查设备和方法。
然而,本公开的各方面不限于本文阐述的那些方面。通过参考下面提供的本公开的详细描述,本公开的以上和其它方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。
根据一个或多个实施例,一种掩模检查方法包括:提供包括多个第一开口和多个第二开口的沉积掩模,第一开口中的每一个具有在平面图中不同于第二开口中的每一个的形状的形状;指定第一组和第二组,每一组包括第一开口中的至少一个和第二开口中的至少一个;比较第一组的图像与第二组的图像;以及基于比较第一组的图像与第二组的图像的结果,确定第一组和第二组是否有缺陷,其中,第一组中的第一开口和第二开口的布置与第二组中的第一开口和第二开口的布置相同。
根据一个或多个实施例,一种掩模检查方法包括:提供包括多个第一开口和多个第二开口的沉积掩模,第一开口中的每一个具有在平面图中不同于第二开口中的每一个的形状的形状;准备包括多个第一开口中的第一开口和多个第二开口中的第二开口的参考图像;指定多个组,每一组包括多个第一开口中的第一开口和多个第二开口中的第二开口;比较多个组中的组的图像与参考图像;以及基于比较该组的图像与参考图像的结果确定该组是否有缺陷,其中,该组中的第一开口和第二开口的布置与参考图像中的第一开口和第二开口的布置相同。
根据一个或多个实施例,一种用于检查沉积掩模的掩模检查设备,沉积掩模包括多个第一开口和多个第二开口,第二开口中的每一个具有在平面图中不同于第一开口中的每一个的形状的形状,该掩模检查设备包括:被配置为支撑沉积掩模的支撑台;视觉单元,与支撑台间隔开并且被配置为捕获沉积掩模的图像;以及控制器,被配置为基于由视觉单元捕获的图像来确定第一开口和第二开口是否有缺陷,其中,控制器指定第一组和第二组,每一组包括第一开口中的至少一个和第二开口中的至少一个,并且控制器比较通过对第一组进行成像而获得的第一图像与通过对第二组进行成像而获得的第二图像。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110702905.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备