[发明专利]在带宽和闪烁噪声之间具有可编程权衡的跨导电路

说明书

本公开涉及在带宽和闪烁噪声之间具有可编程权衡的跨导电路。公开在带宽和闪烁噪声之间具有可编程权衡的跨导电路。示例电路包括输入端口、输出端口、多个晶体管以及包括多个开关的开关布置，该开关布置被配置为改变输入端口、输出端口和晶体管之间的耦合以将跨导电路置于第一操作模式或第二操作模式。以第一模式操作的跨导电路的输入电容大于以第二模式操作的跨导电路的输入电容。在第一模式下，具有较大的输入电容可减少闪烁噪声，因为闪烁噪声的数量与输入电容成反比。在第二模式下，具有较小的输入电容会导致闪烁噪声增加，但这对于宽带应用是可以接受的，因为宽带信号可能对闪烁噪声不太敏感。

技术领域

本公开一般地涉及电子设备和系统，并且更具体地，涉及在带宽和闪烁噪声之间具有可编程权衡的跨导电路、以及包括一个或多个这样的电路的系统。

背景技术

跨导器(也称为“跨导放大器”)是执行电压到电流转换的电路。跨导体是在许多模拟和混合信号电路应用中使用的通用构建块，例如射频(RF)上变频器、增益级、可变增益放大器、连续时间滤波器、Δ-Σ调制器或数据转换器。

由于跨导体是由有源器件实现的(例如，通常是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)共源级)，因此所处理的信号可能会被闪烁噪声破坏。闪烁噪声与正在处理的信号的频率成反比，并且窄带宽信号比宽带信号更容易受到闪烁噪声的影响。

通过使用大面积器件(例如，通过使用大面积MOSFET)可以减少闪烁噪声。随着MOSFET电容与器件面积成正比(即，与晶体管沟道的宽度和长度的乘积成正比)，大面积带来高电容。然而，对于打算用于窄带宽应用的半导体产品，这种解决方案通常是可接受的。

通常希望能够同时在窄带宽和宽带应用中使用单个半导体产品。例如，对于软件定义的无线电产品，可能会有窄带和宽带应用。不幸的是，具有通过使用大面积器件减少闪烁噪声的具有一个或多个跨导的半导体产品可能不适合宽带应用，因为由此产生的高电容可能使其无法调谐至宽带信号。

发明内容

本公开的一个方面公开了一种跨导电路，包括：输入端口，被配置为接收输入信号；输出端口，被配置为提供输出信号；包括多个晶体管的晶体管布置；和开关布置，包括多个开关，并且被配置为改变一对或多对输入端口、输出端口和多个晶体管中的一个或多个之间的耦合，以将跨导电路置于第一操作模式或第二操作模式，其中在第一模式下操作的跨导电路的输入电容大于在第二模式下操作的跨导电路的输入电容。

本公开的另一个方面公开了一种射频(RF)系统，包括：第一跨导放大器电路；和第二跨导放大器电路，其中:所述第一和第二跨导放大器电路的每个跨导放大器电路包括相应的晶体管布置和相应的开关布置，被配置为改变相应的晶体管布置的晶体管之间的耦合以使所述跨导放大器电路以第一模式或第二模式操作，对于每个跨导放大器电路，以第一操作模式操作的跨导放大器电路的输入电容大于以第二操作模式操作的跨导放大器电路的输入电容，所述第一和第二跨导放大器电路中的每个的输入耦合到要与LO信号混频的信号，和所述第一和第二跨导放大器电路中的每个的输出耦合到被配置为将所述第一和第二跨导放大器电路中的每个的输出与LO信号相乘的电路。

本公开的又一个方面公开了一种操作射频(RF)混频器的方法，该方法包括：当要上变频的信号是窄带宽信号时，以第一模式操作RF混频器的跨导放大器电路；和当要上变频的信号是宽带宽信号时，以第二模式操作RF混频器的跨导放大器电路，其中以第一模式操作的跨导放大器电路的输入电容大于以第二模式操作的跨导放大器电路的输入电容。

附图说明

为了提供对本公开及其特征和优点的更完整的理解，结合附图参考以下描述，其中，相同的附图标记表示相同的部分，其中：

图1提供了根据本公开的一些实施例的在带宽和闪烁噪声之间具有可编程折衷的跨导电路的电路图；

图2A提供根据本公开的一些实施例的被配置为以低噪声模式操作的图1的跨导电路的电路图；