[发明专利]在带宽和闪烁噪声之间具有可编程权衡的跨导电路

权利要求书

1.跨导电路，包括：

输入端口，被配置为接收输入信号；

输出端口，被配置为提供输出信号；

包括多个晶体管的晶体管布置；和

开关布置，包括多个开关，并且被配置为改变一对或多对输入端口、输出端口和多个晶体管中的一个或多个之间的耦合，以将跨导电路置于第一操作模式或第二操作模式，

其中在第一模式下操作的跨导电路的输入电容大于在第二模式下操作的跨导电路的输入电容。

2.根据权利要求1所述的跨导电路，其中在第一模式下操作的跨导电路的输入电容大约是在第二模式下操作的跨导电路的输入电容的4倍。

3.根据权利要求1所述的跨导电路，其中所述多个晶体管包括晶体管M1、M2、M3和M4，每个晶体管具有栅极端子、漏极端子和源极端子。

4.根据权利要求3所述的跨导电路，其中在第一操作模式中：

所述开关布置被配置为将所述输入端口耦合到晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3和晶体管M4中的每个的栅极端子，

所述晶体管M1与所述晶体管M3并联，和

所述晶体管M2与所述晶体管M4并联。

5.根据权利要求3所述的跨导电路，其中在第二操作模式中，所述开关布置被配置为：

将所述输入端口耦合到所述晶体管M1的栅极端子，和

将所述晶体管M2、所述晶体管M3和所述晶体管M4中的每个的栅极端子耦合到地电位。

6.根据权利要求3所述的跨导电路，其中:

所述晶体管M1的漏极端子耦合到所述晶体管M3的漏极端子和所述输出端口，

所述晶体管M1的源极端子耦合到所述晶体管M2的漏极端子，

所述晶体管M3的源极端子耦合到所述晶体管M4的漏极端子，和

所述晶体管M2的源极端子和所述晶体管M4的源极端子中的每个耦合到地电位。

7.根据权利要求3所述的跨导电路，其中所述多个开关包括：

开关S1，在所述输入端口与所述晶体管M2的栅极端子和所述晶体管M4的栅极端子之间的每个之间，

开关S2，在正电源电位与所述晶体管M2的栅极端子和所述晶体管M4的栅极端子之间的每个之间，

开关S3，在所述晶体管M1的栅极端子和所述晶体管M3的栅极端子之间，和

开关S4，在地电位与所述晶体管M4的栅极端子之间，

其中所述开关S1-S4的每个开关被配置为处于第一状态或第二状态，其中所述第一状态是允许电流流过所述开关的状态，并且所述第二状态是基本上不允许电流流过所述开关的状态。

8.根据权利要求7所述的跨导电路，其中在第一操作模式中，所述开关S1和S3中的每个处于第一状态，并且所述开关S2和S4中的每个处于第二状态。

9.根据权利要求7所述的跨导电路，其中在第二操作模式中，所述开关S1和S3中的每个处于第二状态，并且所述开关S2和S4中的每个处于第一状态。

10.根据权利要求3所述的跨导电路，还包括：

电阻元件，耦合在所述输入端口和所述晶体管M1的栅极端子之间，和

电容器，耦合在所述晶体管M1的栅极端子和地电位之间。

11.根据权利要求1所述的跨导电路，其中:

所述跨导电路是射频(RF)发射机的混频器，

所述混频器包括跨导放大器电路，和

所述跨导放大器电路包括输入端口、输出端口、晶体管布置和开关布置。