[发明专利]晶元搜索方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质

说明书

本申请提供一种晶元搜索方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，用于提高晶元搜索效率。该方法包括：获取晶圆的晶圆图及基准点的第一位置信息，晶圆图包含每个晶元的索引参数及位置参数，第一位置信息为基准点在扩充蓝膜前的位置信息；根据基准点的第一位置信息、索引参数和位置参数，生成晶元分布地图，晶元分布地图包括每个晶元相对于基准点的位置分布信息；根据第一位置信息和第二位置信息，确定扩充蓝膜前后的第一基准点距离变化量，第二位置信息为基准点在扩充蓝膜后的位置信息；根据第一基准点距离变化量对晶元分布地图进行修正，得到修正后的晶元分布地图；根据修正后晶元分布地图和执行设备的当前位置，确定最优路径和待吸取晶元。

技术领域

本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种晶元搜索方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。

背景技术

目前，搜索晶元的方式为全局扫描法，具体通过检测设备对晶圆表面进行扫描并检测，然后通过分选设备对晶元进行分选。但该全局扫描方式获取到晶元离散分布情况后，需在局部视野下实时搜索晶元，这会导致搜索晶元效率低下，无法满足实际生产需求。

发明内容

本申请实施例提供了晶元搜索方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，可以解决晶元搜索效率低下的问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种晶元搜索方法，包括：

获取晶圆的晶圆图及基准点的第一位置信息，所述晶圆图包含每个晶元的索引参数及位置参数，所述晶圆包括多个所述晶元，所述第一位置信息为所述基准点在扩充蓝膜前的位置信息；

根据所述基准点的第一位置信息、所述索引参数和所述位置参数，生成晶元分布地图，所述晶元分布地图包括每个所述晶元相对于所述基准点的位置分布信息；

根据所述第一位置信息和第二位置信息，确定出扩充蓝膜前后的第一基准点距离变化量，所述第二位置信息为所述基准点在扩充蓝膜后的位置信息；

根据所述第一基准点距离变化量对所述晶元分布地图进行修正，得到修正后的晶元分布地图；

根据所述修正后的晶元分布地图和执行设备的当前位置，确定最优路径和待吸取晶元，所述最优路径为所述执行设备从所述当前位置到所述待吸取晶元的位置的最短路径，所述执行设备用于吸取晶元。

进一步的，所述晶圆图还包含测试参数；所述方法还包括：

根据所述测试参数剔除不符合预设条件的晶元，得到良品晶元；

根据所述基准点的第一位置信息、所述索引参数和所述位置参数，生成晶元分布地图，包括：

根据所述第一位置信息、所述良品晶元对应的所述索引参数和所述位置参数，生成所述晶元分布地图。

进一步的，根据所述第一基准点距离变化量对所述晶元分布地图进行修正，得到修正后的晶元分布地图，包括：

根据所述第一基准点距离变化量，确定相邻所述晶元之间的距离变化量，得到晶元距离变化量；

根据所述晶元距离变化量，修正所述晶元分布地图。

进一步的，确定最优路径和待吸取晶元之后，还包括：

根据所述第二位置信息及第三位置信息，确定出吸取晶元前后的第二基准点距离变化量，所述第三位置信息为所述基准点在吸取晶元后的位置信息；

根据所述第二基准点距离变化量，对所述晶元分布地图进行修正，得到修正后的晶元分布地图。

进一步的，确定最优路径和待吸取晶元之后，还包括：

获取在固晶点处所述执行设备的第一传感器状态及固晶点图像；

根据所述第一传感器状态及所述固晶点图像，确定已吸取晶元的生产状态；