[发明专利]低介电复合材料及天线组件在审
| 申请号: | 202110699644.4 | 申请日: | 2021-06-23 |
| 公开(公告)号: | CN113444352A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
| 发明(设计)人: | 刘屹东;陈磊;任炎芳;何雨;靳晓洋;刘志培;张曜;刘胜东;罗江荣 | 申请(专利权)人: | 广东虹勤通讯技术有限公司 |
| 主分类号: | C08L69/00 | 分类号: | C08L69/00;C08L67/02;C08L71/12;C08K7/14;C08K7/06;C08K3/34;C08K3/38 |
| 代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 蔡光仟 |
| 地址: | 523808 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 低介电 复合材料 天线 组件 | ||
1.一种低介电复合材料,其特征在于,所述低介电复合材料的组成材料包括第一塑料母料、第二塑料母料和填料,所述第一塑料母料、所述第二塑料母料和所述填料的质量比为(3~6):(4~7):0.1,所述第一塑料母料为聚对苯二甲酸1,4-环己烷二甲醇酯或聚对苯二甲酸丁二醇酯中的一种或两种的组合,所述低介电复合材料由所述第一塑料母料、所述第二塑料母料和所述填料混合制成。
2.如权利要求1所述的低介电复合材料,其特征在于,所述第二塑料母料为聚碳酸酯或聚苯醚中的一种或两种的组合。
3.如权利要求1所述的低介电复合材料,其特征在于,所述填料为玻璃纤维、碳纤维、凹凸棒粘土或氮化硼中的一种或多种的组合。
4.如权利要求1-3任一项所述的低介电复合材料,其特征在于,所述低介电复合材料的制作方法包括:
按比例称取一定量的所述第一塑料母料、所述第二塑料母料和所述填料,将所述第一塑料母料、所述第二塑料母料和所述填料置于真空干燥箱中干燥一段时间,所述真空干燥箱内的温度为第一温度;干燥完成后,通过搅拌机对所述第一塑料母料、所述第二塑料母料和所述填料进行搅拌并混合均匀,以得到共混料;
将所述共混料加入挤出机,在第二温度下对所述共混料进行挤出造粒,以得到粒料;挤出完成后,将所述粒料加入注塑机,在第三温度下对所述粒料进行注塑,即可得到所述低介电复合材料。
5.如权利要求4所述的低介电复合材料,其特征在于,所述挤出机包括机头和机身,所述机身分为多段,在对所述共混料进行挤出造粒时,所述机头和所述机身的各分段设置的温度不同。
6.如权利要求5所述的低介电复合材料,其特征在于,所述机身分为八段,所述机身包括依次设置的第一段、第二段、第三段、第四段、第五段、第六段、第七段和第八段,所述机身的八段分为四组,每相邻的两段为一组,每组内的两段的温度相同,所述四组的温度逐级增加,每相邻的两组之间的温度差为5℃~10℃。
7.如权利要求6所述的低介电复合材料,其特征在于,所述第一塑料母料为聚对苯二甲酸1,4-环己烷二甲醇酯,所述第二塑料母料为聚碳酸酯,所述机身的所述第一段和所述第二段的温度为230℃,所述第三段和所述第四段的温度为240℃,所述第五段和所述第六段的温度为250℃,所述第七段和所述第八段的温度为260℃,所述机头的温度为250℃。
8.如权利要求6所述的低介电复合材料,其特征在于,所述第一塑料母料为聚对苯二甲酸1,4-环己烷二甲醇酯,所述第二塑料母料为聚苯醚,所述机身的所述第一段和所述第二段的温度为260℃,所述第三段和所述第四段的温度为265℃,所述第五段和所述第六段的温度为270℃,所述第七段和所述第八段的温度为275℃,所述机头的温度为270℃。
9.如权利要求4所述的低介电复合材料,其特征在于,所述第二温度为230℃~280℃,所述第三温度为270℃~285℃。
10.一种天线组件,其特征在于,所述天线组件由权利要求1-9中任一项所述的低介电复合材料制成。
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