[发明专利]包括电阻存储器单元的存储器装置和包括其的电子装置

说明书

公开了包括电阻存储器单元的存储器装置和包括其的电子装置。该存储器装置包括：包括电阻存储器单元的第一非易失性存储器和控制器。控制器可被配置为向第一非易失性存储器提供第一数据、第一编程命令和第一地址。控制器可被配置为响应于第一编程命令从第一非易失性存储器接收第二数据，其是来自编程有第一数据的电阻存储器单元的验证读取。控制器可被配置为将第一数据与第二数据进行比较以检测故障单元的数量。当所检测到的故障单元的数量大于参考值时，控制器可被配置为生成通过将第一数据反转获得的第三数据，并且将第三数据提供给第一非易失性存储器。第一数据可包括反转标志比特。

相关申请的交叉引用

2020年6月23日提交于韩国知识产权局的题为“包括电阻存储器单元的存储器装置和包括该存储器装置的电子装置”的韩国专利申请No.10-2020-0076231以引用方式整体并入本文中。

技术领域

实施例涉及包括电阻存储器单元的存储器装置以及包括该存储器装置的电子装置。

背景技术

作为使用电阻材料的非易失性存储器装置，存在相变存储器装置(PRAM：相变随机存取存储器)、电阻存储器装置(RRAM：电阻RAM)、磁性存储器装置(MRAM：磁性RAM)等。动态存储器装置(DRAM)和闪速存储器装置使用电荷来存储数据，同时，使用电阻材料的非易失性存储器装置使用诸如硫族化物合金的相变材料的状态改变(PRAM)、可变电阻材料的电阻改变(RRAM)、MTJ(磁性隧道结)薄膜根据铁磁材料的磁化状态的电阻改变(MRAM)等来存储数据。

由于在执行操作时的高读取和写入速度、高耐久性、非易失性和低功耗，MRAM(磁性随机存取存储器)已受到很多关注。此外，MRAM还可使用磁性材料作为信息存储介质来存储信息。

发明内容

实施例涉及一种存储器装置，其包括：第一非易失性存储器，其包括电阻存储器单元；以及控制器，其被配置为控制第一非易失性存储器。控制器可被配置为向第一非易失性存储器提供第一数据、第一编程命令和第一地址。控制器可被配置为响应于第一编程命令从第一非易失性存储器接收第二数据，其是来自编程有第一数据的电阻存储器单元的验证读取。控制器可被配置为将第一数据与第二数据进行比较以检测故障单元的数量。当所检测到的故障单元的数量大于参考值时，控制器可被配置为生成通过将第一数据反转获得的第三数据，并且将第三数据提供给第一非易失性存储器。第一数据可包括反转标志比特。

实施例还涉及一种存储器装置，其包括：存储器单元阵列，其包括电阻存储器单元；读/写电路，其通过位线连接到存储器单元阵列；地址解码器，其通过字线连接到存储器单元阵列；以及控制逻辑，其连接到读/写电路和地址解码器。读/写电路可连接到控制器。读/写电路可被配置为接收包括反转标志比特的第一数据。控制逻辑可被配置为接收第一编程命令。地址解码器可被配置为接收第一地址。读/写电路、控制逻辑和地址解码器可被配置为基于第一数据、第一编程命令和第一地址对电阻存储器单元进行编程。读/写电路可被配置为向控制器提供通过将验证电压施加到电阻存储器单元连接至的位线生成的第二数据。读/写电路可被配置为，当通过比较第一和第二数据检测到的故障单元的数量大于参考值时，响应于第二数据从控制器接收通过将第一数据反转获得的第三数据。读/写电路、控制逻辑和地址解码器可被配置为基于第三数据、第一编程命令和第一地址对电阻存储器单元进行编程。