[发明专利]一种滤除杂波的装置、制备方法、使用方法及其设备

权利要求书

1.一种滤除杂波的装置，用于吸收杂讯，所述装置包含从左到右依次间隙设置的干扰杂讯吸收件、杂讯余波降频件、低频杂讯吸收件，其特征在于：

定义工作信号的频率为f、波长为λ；

所述干扰杂讯吸收件的长度为0.125λ－1.25λ且不为(0.125＊N)λ，其中N为1－8的整数，用于吸收工作频率以外的杂讯，所述干扰杂讯吸收件用于消耗部分干扰杂讯并得到杂讯余波；

所述杂讯余波降频件包含杂讯余波耦合部和杂讯余波消耗部，所述杂讯余波耦合部耦合设置于所述干扰杂讯吸收件的一侧，所述杂讯余波耦合部的长度和所述干扰杂讯吸收件的长度相同，所述杂讯余波消耗部的长度大于所述干扰杂讯吸收件的长度，所述杂讯余波耦合部和杂讯余波消耗部的底端通过连接件电性连接，所述杂讯余波降频件用于耦合所述杂讯余波并降低所述杂讯余波的频率得到低频杂讯；

所述低频杂讯吸收件的长度和所述杂讯余波消耗部的长度相同，所述低频杂讯吸收件用于耦合所述低频杂讯并消耗所述低频杂讯。

2.根据权利要求1所述的一种滤除杂波的装置，其特征在于：所述杂讯余波消耗部的长度为0.375λ－1.625λ且不为(0.125＊M)λ，其中M为3－8的整数。

3.根据权利要求1所述的一种滤除杂波的装置，其特征在于：所述干扰杂讯吸收件、所述杂讯余波降频件、所述低频杂讯吸收件的结构为若干层叠加结构，每一层均包含穿插设置的导电片和氮化硼片。

4.根据权利要求3所述的一种滤除杂波的装置，其特征在于：所述导电片为石墨烯基底或碳基底。

5.根据权利要求3所述的一种滤除杂波的装置，其特征在于：所述干扰杂讯吸收件的长度方向、所述杂讯余波降频件的长度方向、所述低频杂讯吸收件的长度方向互相平行设置。

6.根据权利要求5所述的一种滤除杂波的装置，其特征在于：所述氮化硼片与所述长度方向相垂直。

7.根据权利要求3所述的一种滤除杂波的装置，其特征在于：所述干扰杂讯吸收件、所述低频杂讯吸收件底端均设置有接地端。

8.一种滤除杂波的装置的制备方法，基于权利要求1－7任意一条所述的滤除杂波的装置，其特征在于：包含以下步骤：

S1，将导电粉末平铺在印有相应图案的模版中，导入低于工作信号的频率f的杂讯，使碳粉重新排列产生空隙，所述模版至少包含干扰杂讯吸收件模版、杂讯余波降频件模版、低频杂讯吸收件模版；

S2，将碳粉涂胶并烘干，使其固化成包含所述空隙的导电片；

S3，在所述导电片中加入氮化硼粉末，涂胶并烘干得到单层结构；

S4，重复步骤S1－步骤S3若干次，得到若干层叠加结构的所述滤除杂波的装置。

9.一种滤除杂波的装置的使用方法，基于权利要求1所述的装置，其特征在于：将所述干扰杂讯吸收件和所述低频杂讯吸收件接入电子设备的接地端。

10.一种电子设备，其特征在于：包含如权利要求1所述的装置，所述装置接入于电子设备的接地端。