[发明专利]MZ型光强度调制器总成

说明书

本发明提供一种MZ型光强度调制器总成，包括MZ型光强度调制器，MZ型光强度调制器包括芯片以及固定于芯片上的波导组件和多个偏置电极，还包括：多个光栅，间隔设置于波导组件的输出直波导的至少一侧，且与芯片固定连接；光电探测器，与位于输出直波导同一侧的每一光栅固定连接；控制器，其输入端与光电探测器的输出端通信连接，以接收光电探测器输出的电流数据，其输出端与偏置电极的被控端通信连接。在输出直波导一侧设置光栅及光电探测器，使光栅耦合部分泄露光，且进入光栅的泄露光被光电探测器接收并转化为电流，根据电流与输出光功率及偏置电压之间的关系，通过监测泄露光转化的电流控制调整偏置电压，对工作光没有任何影响，减小了光路损耗。

技术领域

本发明涉及光通信技术领域，具体涉及一种MZ型光强度调制器总成。

背景技术

MZ型光强度调制器(Mach Zehnder光强度调制器)是光纤通信、光纤传感中的重要器件，图1为MZ型光强度调制器的示意图，如图1所示，MZ型光强度调制器包括芯片1以及固定于芯片1上的波导组件2，其中波导组件2包括输入直波导21、分别与输入直波导21的输出端连接且镜像对称的第一分束波导22和第二分束波导23、与第一分束波导22输出端连接的第一直波导24、与第二分束波导23输出端连接的第二直波导25、与第一直波导24输出端连接的第一合束波导26、与第二直波导25输出端连接的第二合束波导27、与第一合束波导26及第二合束波导27输出端的合束点连接的输出直波导28，并在第一直波导24与第二直波导25之间，以及二者相背离的一侧分别设置偏置电极3，对偏置电极3施加不同的偏置电压，会引起输出光功率的变化。

由于环境温度的变化和外部应力、电场等因素，MZ型光强度调制器的工作偏置点会随着时间缓慢发生变化，也即MZ型光强度调制器的输出光功率会随着时间缓慢发生变化。这会在应用中导致理想偏置工作点难以控制，最终会导致调制信号质量变差，误码率上升、眼图劣化。为了保证MZ型光强度调制器输出的工作状态，需要根据输出光功率的变化调节偏置电压，现有技术中，通过分流部分输出光功率进入光电探测器，将光信号转化为电流后进入偏置反馈控制电路，根据电流与输出光功率以及偏置电压之间的对应关系，通过一定的算法输出一个偏置电压来保证MZ型光强度调制器工作在其合适的工作点，现有技术中分流部分输出光功率进行反馈调节，增加了整体光路中输出光功率的损耗。

发明内容

有鉴于此，本发明提出一种MZ型光强度调制器总成，在MZ型光强度调制器的输出直波导的一侧设置光栅及光电探测器，耦合部分泄露光，将泄露光转化为电流，根据泄露光转化的电流与输出光功率以及偏置电压之间的对应关系，调节偏置电压，以克服现有技术的缺陷。

本发明提供的MZ型光强度调制器总成包括MZ型光强度调制器，所述MZ型光强度调制器包括芯片以及固定于所述芯片上的波导组件和多个偏置电极，所述MZ型光强度调制器总成还包括：多个光栅，多个所述光栅间隔设置于所述波导组件的输出直波导的至少一侧，且与所述芯片固定连接；光电探测器，所述光电探测器与位于所述输出直波导同一侧的每一所述光栅固定连接；控制器，所述控制器的输入端与所述光电探测器的输出端通信连接，以接收所述光电探测器输出的电流数据，所述控制器的输出端与所述偏置电极的被控端通信连接，所述控制器根据所述电流数据的变化输出控制信号至所述偏置电极的被控端，所述偏置电极的被控端接收所述控制信号并调整所述偏置电极的偏置电压。

可选地，所述MZ型光强度调制器总成还包括封装盒，所述MZ型光强度调制器、所述光栅与所述光电探测器均设置于所述封装盒内。

可选地，所述MZ型光强度调制器总成还包括引针，所述引针贯穿所述封装盒，所述引针的相对两端分别与所述光电探测器的输出端以及所述控制器的输入端通信连接。

可选地，所述芯片设置为铌酸锂薄膜芯片，包括：基底层；承托层，所述承托层与所述基底层固定连接；铌酸锂薄膜，所述铌酸锂薄膜与所述承托层背向所述基底层的一侧固定连接，所述波导组件固定于所述铌酸锂薄膜背向所述承托层的一侧表面。