[发明专利]热传导模块及制备方法和应用、电子产品

权利要求书

1.一种热传导模块的制备方法，其特征在于，所述热传导模块的制备方法包括：

分别对金刚石晶片(1)和衬底(2)依次进行清洗处理和活化处理，得到预处理金刚石晶片(1a)和预处理衬底(2a)；

在所述预处理金刚石晶片(1a)上依次沉积第一金属粘合层(31)和第一金属键合层(41)，以及，在所述预处理衬底(2a)上依次沉积第二金属粘合层(32)和第二金属键合层(42)；

通过原子扩散工艺，使所述第一金属键合层(41)和所述第二金属键合层(42)进行键合，得到所述热传导模块。

2.根据权利要求1所述的热传导模块的制备方法，其特征在于，对金刚石晶片(1)和衬底(2)进行清洗处理，包括：

利用有机溶剂和水依次对所述金刚石晶片(1)进行清洗，以及，利用有机溶剂和水依次对所述衬底(2)进行清洗；

利用硫酸和双氧水的混合物对所述金刚石晶片(1)和所述衬底(2)进行表面处理，然后利用水进行清洗。

3.根据权利要求1所述的热传导模块的制备方法，其特征在于，利用氢等离子体，分别对所述金刚石晶片(1)和所述衬底(2)进行所述活化处理。

4.根据权利要求1所述的热传导模块的制备方法，其特征在于，所述第一金属粘合层(31)的材质选自钛、钼、铬、钨、铁、钴、镍中的至少一种；

所述第一金属键合层(41)的材质选自金、银、铜中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的热传导模块的制备方法，其特征在于，所述第一金属粘合层(31)的厚度为5nm-10nm；

所述第一金属键合层(41)的厚度为50nm-200nm。

6.根据权利要求5所述的热传导模块的制备方法，其特征在于，所述在所述预处理金刚石晶片(1a)上依次沉积第一金属粘合层(31)和第一金属键合层(41)，包括：

通过高功率脉冲磁控溅射技术，在所述预处理金刚石晶片(1a)上依次沉积所述第一金属粘合层(31)和所述第一金属键合层(41)。

7.根据权利要求1所述的热传导模块的制备方法，其特征在于，所述第二金属粘合层(32)的材质选自钛、钼、铬、钨、铁、钴、镍中的至少一种；

所述第二金属键合层(42)的材质选自金、银、铜中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的热传导模块的制备方法，其特征在于，所述第二金属粘合层(32)的厚度为5nm-10nm；

所述第二金属键合层(42)的厚度为50nm-200nm。

9.根据权利要求8所述的热传导模块的制备方法，其特征在于，所述在所述预处理衬底上依次沉积第二金属粘合层(32)和第二金属键合层(42)，包括：

通过高功率脉冲磁控溅射技术，在所述预处理金刚石晶片(1a)上依次沉积所述第二金属粘合层(32)和所述第二金属键合层(42)。

10.根据权利要求1所述的热传导模块的制备方法，其特征在于，所述通过原子扩散工艺使所述第一金属键合层(41)和所述第二金属键合层(42)进行键合，包括：

使沉积有所述第一金属粘合层(31)和所述第一金属键合层(41)的金刚石晶片(1)和沉积有所述第二金属粘合层(32)和所述第二金属键合层(42)的衬底(2)对接，使得所述第一金属粘合层(31)和所述第二金属键合层(42)相接触，得到待键合样品；

将所述待键合样品置于键合机中，在小于或等于20MPa的压力，以及140℃-200℃的温度下进行键合，制备得到所述热传导模块。

11.根据权利要求1-10任一项所述的热传导模块的制备方法，其特征在于，所述金刚石晶片(1)的结合面的粗糙度小于或等于10nm，其中，所述结合面为所述金刚石晶片(1)与所述第一金属粘合层(31)相接触的表面。