[发明专利]一种用于CVD碳气相沉积的回转炉碳陶炉管、回转炉及碳陶炉管的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110677117.3 申请日: 2021-06-18
公开(公告)号: CN113416086A 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 易旭;廖寄乔 申请(专利权)人: 湖南金硅科技有限公司
主分类号: C04B35/83 分类号: C04B35/83;C04B35/52;C23C16/26;C23C16/44
代理公司: 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 代理人: 张伟
地址: 413000 湖南省益阳市益阳*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 cvd 碳气相 沉积 回转 炉碳陶 炉管 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种用于CVD碳气相沉积的回转炉碳陶炉管的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:

1)以多层碳纤维无纬布和碳纤维网胎交替叠加,针刺复合形成管状结构,所述管状结构经过热固化处理,得到碳纤维预制体;

2)将碳纤维预制体进行化学气相沉积后,得到炉管坯体;

3)将坯体进行机加工,得到精加工炉管坯体;

4)将精加工炉管坯体进行熔融渗硅处理和碳化硅化处理,即得。

2.根据权利要求1所述的一种用于CVD碳气相沉积的回转炉碳陶炉管的制备方法,其特征在于:碳纤维无纬布和碳纤维网胎叠加总层数为14~16层,针刺密度为25~30针/cm3

3.根据权利要求1所述的一种用于CVD碳气相沉积的回转炉碳陶炉管的制备方法,其特征在于:所述碳纤维预制体的密度为0.4~0.6g/cm3

4.根据权利要求1所述的一种用于CVD碳气相沉积的回转炉碳陶炉管的制备方法,其特征在于:所述热固化处理的条件为:温度为200℃~300℃,时间为5h~15h。

5.根据权利要求1所述的一种用于CVD碳气相沉积的回转炉碳陶炉管的制备方法,其特征在于:所述化学气相沉积包括一次预处理过程和一次等温等压化学气相沉积过程;所述预处理过程的条件为:温度为950℃~1100℃,以天然气和/或乙烯为气体碳源,氮气作为载体气,气体碳源流量为40升/分钟~80升/分钟,沉积时间100h~200h;所述等温等压化学气相沉积的条件为:温度为950℃~1100℃,以天然气和/或乙烯为气体碳源,氮气作为载体气,气体碳源流量为40升/分钟~80升/分钟,沉积时间100h~200h。

6.根据权利要求1所述的一种用于CVD碳气相沉积的回转炉碳陶炉管的制备方法,其特征在于:将硅粉喷涂在精加工炉管坯体表面,先在1600℃~1800℃温度下熔融渗硅处理1~5h,再在1600~1800℃温度下,碳化硅化处理0.5~2h;硅粉质量为精加工炉管坯体质量的1/5~1/2。

7.一种用于CVD碳气相沉积的回转炉碳陶炉管,其特征在于:由权利要求1~6任一项所述制备方法得到。

8.一种用于CVD碳气相沉积的回转炉,其特征在于:包括权利要求7所述的碳陶炉管。

9.根据权利要求8所述的一种用于CVD碳气相沉积的回转炉,其特征在于:所述碳陶炉管回绕设置于回转炉的不锈钢炉管内侧。

10.根据权利要求9所述的一种用于CVD碳气相沉积的回转炉,其特征在于:所述碳陶炉管的内壁设有L型螺旋导料板。

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