[发明专利]一种高结晶度锂铝硅透明微晶玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种高结晶度锂铝硅体系透明微晶玻璃，其特征在于，按质量分数计，其组成包括：SiO₂：60～75%；Al₂O₃：6～12 %；Li₂O：7～14 %；Na₂O：0～2%；K₂O：0～2%；ZrO₂：2～7%；P₂O₅：0～3%；HfO₂：0～4%；Sb₂O₃：0.1～1%。

2.根据权利要求1所述的微晶玻璃，其特征在于，以氧化物质量百分比计，2%≤(HfO₂+ZrO₂+P₂O₅)≤14%。

3.根据权利要求1所述的微晶玻璃，其特征在于，所述微晶玻璃中包含以下晶相：透锂长石20～45%，二硅酸锂20～45%，偏磷酸铝1～4%，氧化锆0～4%，总晶相含量≥80%。

4.根据权利要求1所述的微晶玻璃，其特征在于，所述微晶玻璃中晶粒尺寸为10～50nm。

5.根据权利要求1所述的微晶玻璃，其特征在于，0.8mm厚度的所述微晶玻璃400～800nm的透过率为87%以上。

6.一种高结晶度锂铝硅透明微晶玻璃的制备方法，包括如下步骤：

A.按照以下组成及质量分数配置原料：SiO₂ 60～75 %；Al₂O₃ 6～12 %；Li₂O 7～14%；Na₂O 0～2%；K₂O 0～2%；ZrO₂ 2～7%；P₂O₅0～3%；HfO₂0～4%；Sb₂O₃ 0.1～1%；

B.将原料混合、熔化、澄清、成型、退火后得到基础玻璃；

C.将所述基础玻璃进行晶化处理，得到高结晶度锂铝硅透明微晶玻璃。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤B中，根据玻璃组成的熔化难易度，在1400～1600℃的温度范围内进行4～20小时的熔化。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤B中，退火处理温度为350～550℃，退火时间为2-10h。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤C所述晶化处理包括2个阶段：第一阶段，在550～750℃下进行成核工艺的处理，保持时间1～6h；第二阶段，在700～850℃下进行晶体生长工艺的处理，保持时间0～5h。