[发明专利]低噪声放大器、射频接收机及射频终端

说明书

本申请实施例提供一种低噪声放大器、射频接收机及射频终端，应用于无线通信技术领域。该低噪声放大器包括电流源、镜像模块、放大模块和负反馈模块；镜像模块与放大模块共同构成镜像电流源电路；负反馈模块分别与镜像模块和放大模块连接；放大模块包括电流放大晶体管，镜像模块包括与电流放大晶体管呈镜像关系的镜像晶体管，负反馈模块用于控制电流放大晶体管的源漏电压与镜像晶体管的源漏电压跟随，或者，控制镜像晶体管的漏极电流与参考偏置电流跟随，以稳定静态偏置电流与参考偏置电流之间的比值。通过在低噪声放大器中增设负反馈模块，在工艺角和温度发生变化时，可稳定静态偏置电流与参考偏置电流之间的比值，以稳定低噪声放大器的性能。

技术领域

本申请涉及无线通信技术领域，尤其涉及低噪声放大器、射频接收机及射频终端。

背景技术

在低噪声放大器(low noise amplifier，LNA)的设计过程中，由于其应用频段越来越高，从2G时代的1.9GHz发展到5G时代的sub-6G，为了保证低噪声放大器的低噪声性能，需要将低噪声放大器中的晶体管的沟道长度设计得越来越小。

由于低噪声放大器中的晶体管的沟道长度越来越小，使得短沟道调制效应越来越明显，进而导致低噪声放大器中的晶体管本身的源漏电压Vds对静态偏置电流的影响越来越明显，而晶体管的源漏电压Vds实际上会随着工艺角和温度的变化而发生变化，这种变化会导致低噪声放大器的静态偏置电流发生变化，进而导致低噪声放大器的性能(如增益)发生变化。

发明内容

本申请实施例提供了一种低噪声放大器、射频接收机及射频终端，应用于终端设备无线通信技术领域，有助于在工艺角和温度发生变化时，改善低噪声放大器的性能发生变化的问题。

第一方面，本申请实施例提出一种低噪声放大器，包括：电流源、镜像模块、放大模块和负反馈模块；

电流源用于产生参考偏置电流；

镜像模块分别与电流源和放大模块连接，且镜像模块与放大模块共同构成镜像电流源电路；镜像电流源电路用于对参考偏置电流进行镜像，得到静态偏置电流；

负反馈模块分别与镜像模块和放大模块连接；

其中，放大模块包括电流放大晶体管，镜像模块包括与电流放大晶体管呈镜像关系的镜像晶体管；负反馈模块用于控制电流放大晶体管的源漏电压与镜像晶体管的源漏电压跟随，或者，控制镜像晶体管的漏极电流与参考偏置电流跟随，以稳定静态偏置电流与参考偏置电流之间的比值。

可选的，放大模块包括第一放大单元和第二放大单元，第一放大单元包括电流放大晶体管；

第一放大单元的控制端与镜像模块连接，第一放大单元的第一端与接地端连接，第一放大单元的第二端与第二放大单元的第一端连接；

第二放大单元的第二端与第一电源电压端连接。

可选的，负反馈模块包括电压调节单元，电压调节单元的第一输入端与镜像晶体管的漏极连接，电压调节单元的第二输入端与电流放大晶体管的漏极连接；

电压调节单元用于控制电流放大晶体管的源漏电压与镜像晶体管的源漏电压跟随。

可选的，电压调节单元包括第一运算放大器，镜像模块包括第一晶体管，第一晶体管为镜像晶体管；

第一运算放大器的同相输入端与第一晶体管的漏极连接，第一运算放大器的反相输入端与电流放大晶体管的漏极连接，第一运算放大器的输出端与第二放大单元的控制端连接；

第一晶体管的栅极和漏极均与电流源连接，第一晶体管的栅极还与第一放大单元的控制端连接，第一晶体管的源极与接地端连接。

可选的，镜像模块包括第二晶体管，第二晶体管为镜像晶体管；电压调节单元包括第二运算放大器和第三晶体管；