[发明专利]低噪声放大器、射频接收机及射频终端

权利要求书

1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括：电流源、镜像模块、放大模块和负反馈模块；

所述电流源用于产生参考偏置电流；

所述镜像模块分别与所述电流源和所述放大模块连接，且所述镜像模块与所述放大模块共同构成镜像电流源电路；所述镜像电流源电路用于对所述参考偏置电流进行镜像，得到静态偏置电流；

所述负反馈模块分别与所述镜像模块和所述放大模块连接；

其中，所述放大模块包括电流放大晶体管，所述镜像模块包括与所述电流放大晶体管呈镜像关系的镜像晶体管；所述负反馈模块用于控制所述电流放大晶体管的源漏电压与所述镜像晶体管的源漏电压跟随，或者，控制所述镜像晶体管的漏极电流与所述参考偏置电流跟随，以稳定所述静态偏置电流与所述参考偏置电流之间的比值。

2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述放大模块包括第一放大单元和第二放大单元，所述第一放大单元包括所述电流放大晶体管；

所述第一放大单元的控制端与所述镜像模块连接，所述第一放大单元的第一端与接地端连接，所述第一放大单元的第二端与所述第二放大单元的第一端连接；

所述第二放大单元的第二端与第一电源电压端连接。

3.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述负反馈模块包括电压调节单元，所述电压调节单元的第一输入端与所述镜像晶体管的漏极连接，所述电压调节单元的第二输入端与所述电流放大晶体管的漏极连接；

所述电压调节单元用于控制所述电流放大晶体管的源漏电压与所述镜像晶体管的源漏电压跟随。

4.根据权利要求3所述的低噪声放大器，其特征在于，所述电压调节单元包括第一运算放大器，所述镜像模块包括第一晶体管，所述第一晶体管为所述镜像晶体管；

所述第一运算放大器的同相输入端与所述第一晶体管的漏极连接，所述第一运算放大器的反相输入端与所述电流放大晶体管的漏极连接，所述第一运算放大器的输出端与所述第二放大单元的控制端连接；

所述第一晶体管的栅极和漏极均与所述电流源连接，所述第一晶体管的栅极还与所述第一放大单元的控制端连接，所述第一晶体管的源极与所述接地端连接。

5.根据权利要求3所述的低噪声放大器，其特征在于，所述镜像模块包括第二晶体管，所述第二晶体管为所述镜像晶体管；所述电压调节单元包括第二运算放大器和第三晶体管；

所述第二运算放大器的同相输入端与所述电流放大晶体管的漏极连接，所述第二运算放大器的反相输入端与所述第二晶体管的漏极连接，所述第二运算放大器的输出端与所述第三晶体管的栅极连接；

所述第三晶体管的漏极与所述电流源连接，所述第三晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极连接；

所述第二晶体管的栅极与所述电流源和所述第一放大单元的控制端连接，所述第二晶体管的源极与所述接地端连接。

6.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述负反馈模块包括电流调节单元，所述电流调节单元分别与所述电流源、所述镜像模块和所述放大模块连接，用于控制所述镜像晶体管的漏极电流与所述参考偏置电流跟随。

7.根据权利要求6所述的低噪声放大器，其特征在于，所述镜像模块包括第四晶体管和第五晶体管，所述电流调节单元包括第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管和第九晶体管；

所述第四晶体管的栅极与所述电流源和所述第一放大单元的控制端连接，所述第四晶体管的源极与所述接地端连接，所述第四晶体管的漏极与所述第五晶体管的源极连接；

所述第五晶体管的栅极与所述第二放大单元的控制端连接，所述第五晶体管的漏极与所述第六晶体管的栅极和漏极连接；

所述第六晶体管的源极与所述第一电源电压端连接；

所述第七晶体管的栅极与所述第六晶体管的栅极连接，所述第七晶体管的源极与所述第一电源电压端连接，所述第七晶体管的漏极与所述第八晶体管的漏极和栅极连接；

所述第八晶体管的源极与所述接地端连接；

所述第九晶体管的栅极与所述第八晶体管的栅极连接，所述第九晶体管的源极与所述接地端连接，所述第九晶体管的漏极与所述电流源、所述第四晶体管的栅极和所述第一放大单元的控制端连接。