[发明专利]多晶硅清洗装置

说明书

本发明提出一种多晶硅清洗装置包括清洗间，所述清洗间的进口处设有用于形成第一风淋防护门的第一喷气口，所述清洗间内设有清洗槽，所述清洗间具有惰性气体进口和废气出口，干燥间，所述清洗间的出口与所述干燥间的进口连通，所述干燥间的出口设有用于形成第二风淋防护门的第二喷气口，所述干燥间内设有干燥装置；和移动装置，所述移动装置包括第一机械臂和第二机械臂，所述第一机械臂可移动地设在所述清洗间内，所述第二机械臂可移动地设在所述干燥间内。因此，根据本发明实施例的多晶硅清洗装置具有降低人工劳动强度、便于多晶硅的清洗和包装，以及通过高密闭性从而防止多晶硅受到污染的优点。

技术领域

本发明涉及多晶硅制备领域，具体涉及一种多晶硅清洗装置。

背景技术

区熔级多晶硅作为电子级多晶硅的高端产品，随着多晶硅的产品质量提升，其后加工处理也要求更加严格，其中电子级多晶硅清洗是电子级多晶硅后续加工处理必不可少的生产环节，主要目的就是将多晶硅在后处理加工过程中以及硅棒表面上存在的沾污杂质给去除，确保优质的产品进入下游工序使用。然而目前对于多晶硅的清洗主要采用人工清洗和自动清洗两种。

相关技术中，人工清洗是一种初级的硅料清洗方式，在盛装有清洗液的酸槽以及纯水槽内操作人员根据清洗硅料的多少注入适量的清洗介质，然后将待洗硅料装入清洗花篮内，人为观察清洗效果确定清洗时间。这种操作有一定的灵活性，但是存在一定的安全隐患，而且硅料在空气中暴露时间长，容易产生氧化物等影响多晶硅纯度的物质。

自动清洗一般是组装清洗液槽在一个固定框架内，然后在清洗液槽上方设置机械手，通过机械手替代人工提拉硅料花篮在不同清洗液槽内清洗，通过清洗程序的设定，控制不同清洗液里的清洗时间，实现自动清洗过程。该操作方法是人工一次上料后基本实现自动化操作，人力劳动强度低，安全性较高，目前存在的主要问题就是在自动清洗过程中，机械手的运动节拍使得硅料在空气中暴露时间过长，容易在硅料表层形成一种氧化膜，影响产品的质量，有时候硅料的形状和大小影响清洗质量。

随着对硅料需求的增加，不同品质和不同规格的硅料或者硅棒越来越多的被下游客户使用，尤其是国产化进程日益成熟，高端多晶硅产品已完成生产技术难点的攻克，产品内在质量能够达到区熔级多晶硅产品的质量要求，但是在后续的加工处理过程存在一些问题，使得下游工序在使用过程稳定性不高，因此后续加工处理也一直是亟需优化的。目前，在区熔级多晶硅的下游客户反馈中，存在硅棒表面发彩，废酸残留等异常现象，影响下游客户的使用。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的实施例提出一种多晶硅清洗装置。

根据本发明实施例的多晶硅清洗装置包括：

清洗间，所述清洗间的进口处设有用于形成第一风淋防护门的第一喷气口，所述清洗间内设有清洗槽，所述清洗间具有惰性气体进口和废气出口，

干燥间，所述清洗间的出口与所述干燥间的进口连通，所述干燥间的出口设有用于形成第二风淋防护门的第二喷气口，所述干燥间内设有干燥装置；和

移动装置，所述移动装置包括第一机械臂和第二机械臂，所述第一机械臂可移动地设在所述清洗间内，所述第二机械臂可移动地设在所述干燥间内。

因此，根据本发明实施例的多晶硅清洗装置具有降低人工劳动强度、便于多晶硅的清洗和包装，以及通过高密闭性从而防止多晶硅受到污染的优点。

在一些实施例中，所述清洗间包括第一清洗段和第二清洗段，所述第二清洗段设在所述第一清洗段和所述干燥间之间，所述清洗槽包括用于容纳碱性清洗液的第一清洗槽和用于容纳高纯水的第二清洗槽，所述第一清洗槽设在所述第一清洗段内，所述第二清洗槽设在所述第二清洗段内，所述废气出口包括第一废气出口和第二废气出口，所述第一废气出口与所述第一清洗槽配合，所述第二废气出口与所述第二清洗槽配合。