[发明专利]多晶硅清洗装置

权利要求书

1.一种多晶硅清洗装置，其特征在于，包括：

清洗间，所述清洗间的进口处设有用于形成第一风淋防护门的第一喷气口，所述清洗间内设有清洗槽，所述清洗间具有惰性气体进口和废气出口；

干燥间，所述清洗间的出口与所述干燥间的进口连通，所述干燥间的出口设有用于形成第二风淋防护门的第二喷气口，所述干燥间内设有干燥装置；和

移动装置，所述移动装置包括第一机械臂和第二机械臂，所述第一机械臂可移动地设在所述清洗间内，所述第二机械臂可移动地设在所述干燥间内。

2.根据权利要求1所述的多晶硅清洗装置，其特征在于，所述清洗间包括第一清洗段和第二清洗段，所述第二清洗段设在所述第一清洗段和所述干燥间之间，所述清洗槽包括用于容纳碱性清洗液的第一清洗槽和用于容纳高纯水的第二清洗槽，所述第一清洗槽设在所述第一清洗段内，所述第二清洗槽设在所述第二清洗段内，所述废气出口包括第一废气出口和第二废气出口，所述第一废气出口与所述第一清洗槽配合，所述第二废气出口与所述第二清洗槽配合。

3.根据权利要求2所述的多晶硅清洗装置，其特征在于，所述清洗间还包括第三清洗段和第四清洗段，所述第三清洗段设在所述第二清洗段和所述干燥间之间，所述第四清洗段设在所述第三清洗段和所述干燥间之间，所述清洗槽包括用于容纳混酸溶液的第三清洗槽和用于容纳高纯水的第四清洗槽，所述第三清洗槽设在所述第三清洗段内，所述第四清洗槽设在所述第四清洗段内，所述废气出口包括第三废气出口和第四废气出口，所述第三废气出口与所述第三清洗槽配合，所述第四废气出口与所述第四清洗槽配合。

4.根据权利要求3所述的多晶硅清洗装置，其特征在于，所述多晶硅清洗装置进一步包括第一进料泵、第二进料泵、第三进料泵和第四进料泵，所述第一进料泵的出口与所述第一清洗槽连通，所述第一清洗槽内设有第一鼓泡器，所述第二进料泵的出口与所述第二清洗槽连通，所述第二清洗槽内设有第二鼓泡器，所述第三进料泵的出口与所述第三清洗槽连通，所述第三清洗槽内设有第三鼓泡器和超声发生器，所述第四进料泵的出口与所述第四清洗槽连通，所述第四清洗槽内设有第四鼓泡器。

5.根据权利要求4所述的多晶硅清洗装置，其特征在于，还包括：

第一过渡段，所述第一过渡段设在所述第一清洗段和所述第二清洗段之间，所述第一过渡段内设有第一惰性气体喷嘴，所述第一过渡段内的底部设有第一集液盘；

第二过渡段，所述第二过渡段设在所述第二清洗段和所述第三清洗段之间，所述第二过渡段内设有第二惰性气体喷嘴；

第三过渡段，所述第三过渡段设在所述第三清洗段和所述第四清洗段之间，所述第三过渡段内设有第三惰性气体喷嘴，所述第三过渡段内的底部设有第二集液盘；和

第四过渡段，所述第四过渡段设在所述第四清洗段和所述干燥间之间，所述第四过渡段内设有第四惰性气体喷嘴。

6.根据权利要求4所述的多晶硅清洗装置，其特征在于，所述第一机械臂包括：

第一子机械臂，所述第一子机械臂可移动地设在所述第一清洗段内；

第二子机械臂，所述第二子机械臂可移动地设在所述第二清洗段内；

第三子机械臂，所述第三子机械臂可移动地设在所述第三清洗段内；

第四子机械臂，所述第四子机械臂可移动地设在所述第四清洗段内。

7.根据权利要求5所述的多晶硅清洗装置，其特征在于，还包括：

上料平台，所述上料平台邻近所述第一清洗间，所述上料平台具有上料台面；和

下料平台，所述下料平台邻近所述干燥间，所述下料平台具有下料台面。