[发明专利]一种基于表面等离激元共振的可见光变色镜片及其制备方法在审
| 申请号: | 202110661020.3 | 申请日: | 2021-06-15 |
| 公开(公告)号: | CN113406810A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
| 发明(设计)人: | 吴建斌;吴建选;陈建发 | 申请(专利权)人: | 艾普偏光科技(厦门)有限公司 |
| 主分类号: | G02C7/02 | 分类号: | G02C7/02;G02B1/115;G02B5/00 |
| 代理公司: | 厦门福贝知识产权代理事务所(普通合伙) 35235 | 代理人: | 陈远洋 |
| 地址: | 361028 福建省厦门市海沧区后祥*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 表面 离激元 共振 可见光 变色 镜片 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于表面等离激元共振的可见光变色镜片,其特征在于,包括镜片基片,所述镜片基片的表面自上而下依次排布可见光全带宽增透膜膜层、二维纳米U型金属银薄膜周期阵列膜层以及二氧化硅打底层。
2.根据权利要求1所述的基于表面等离激元共振的可见光变色镜片,其特征在于,所述二维纳米U型金属银薄膜周期阵列膜层的厚度为10nm~30nm。
3.根据权利要求1所述的基于表面等离激元共振的可见光变色镜片,其特征在于,所述二氧化硅打底层的厚度为2nm~10nm。
4.一种基于表面等离激元共振的可见光变色镜片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1:在镜片基片上进行离子辅助轰击电子束蒸镀沉积二氧化硅打底层;
步骤S2:每个所述镜片基片上夹附掩模板,在所述二氧化硅打底层上进行电子束蒸镀沉积二维纳米U型金属银薄膜阵列膜层结构;
步骤S3:最后取掉所述掩模板,再进行离子束辅助沉积电子束蒸镀可见光全带宽增透膜层。
5.根据权利要求4所述的基于表面等离激元共振的可见光变色镜片的的制备方法,其特征在于,所述掩模板的光学中心区采用激光干涉直写亚波长尺度的U型纳米尺寸开区镂空结构。
6.根据权利要求5所述的基于表面等离激元共振的可见光变色镜片的的制备方法,其特征在于,所述掩模板的开区镂空D的范围为50nm~80nm,L的范围为50nm~80nm,H的范围为1μm~3μm,单元周期的范围为300nm~480nm。
7.根据权利要求4所述的基于表面等离激元共振的可见光变色镜片的的制备方法,其特征在于,步骤S2中所述二维纳米U型金属银薄膜周期阵列膜层的蒸束流沉积速率为0.1nm/s~1.0nm/s。
8.根据权利要求4所述的基于表面等离激元共振的可见光变色镜片的的制备方法,其特征在于,步骤S3中的所述可见光全带宽增透膜膜层包括五氧化三钛膜层和二氧化硅膜层,所述二氧化硅膜层的沉积速率为0.2nm/s~3.0nm/s,所述五氧化三钛膜层的沉积速率为0.3nm/s~5.0nm/s。
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