[发明专利]用于极紫外光刻的相移掩模和用其制造半导体装置的方法

说明书

一种用于极紫外光刻的相移掩模，其包括：衬底；衬底上的反射层；反射层上的封盖层；封盖层上的缓冲图案，缓冲图案包括暴露封盖层的表面的开口；以及缓冲图案上的吸收器图案，吸收器图案包括小于缓冲图案的折射率的折射率和大于缓冲图案的厚度的厚度。缓冲图案包括相对于吸收器图案和封盖层具有蚀刻选择性的材料。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2020年6月16日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0073145的优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本发明构思的实施例涉及一种用于极紫外光刻(EUV)的相移掩模以及利用其制造半导体装置的方法。

背景技术

随着半导体装置的尺寸变小和设计规则减少，越来越需要用于形成更小图案的技术。为了满足这些要求，光刻工艺中使用的光源的波长已经缩短。例如，已经按照g线(436nm)、i线(365nm)、KrF激光(248nm)和ArF激光(193nm)的顺序发展光刻工艺中使用的光源。近来，已经提出了利用具有13.5nm的半峰全宽(FWHM)波长的极紫外光作为光源的极紫外(EUV)光刻工艺。

然而，其它光刻工艺中普遍使用的大多数折射光学材料可吸收极紫外光，因此，EUV光刻工艺可以通常使用反射光学系统而不是折射光学系统。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例可以提供一种用于极紫外光刻的相移掩模，其能够实现高分辨率图像。

本发明构思的一些示例实施例还可以提供一种制造半导体装置的方法，其能够提高生产率。

在一方面，一种用于极紫外光刻的相移掩模可包括：衬底；衬底上的反射层；反射层上的封盖层；封盖层上的缓冲图案，缓冲图案包括暴露封盖层的表面的开口；以及缓冲图案上的吸收器图案，吸收器图案包括小于缓冲图案的折射率的折射率和大于缓冲图案的厚度的厚度。缓冲图案可包括相对于吸收器图案和封盖层具有蚀刻选择性的材料。

在一方面，一种用于极紫外光刻的相移掩模可包括：导电层上的衬底；衬底上的反射层；反射层上的封盖层；以及封盖层上的吸收器图案，吸收器图案包括暴露封盖层的表面的开口。吸收器图案可包括氮和铬。吸收器图案中的氮的含量可在从5at％至70at％的范围内。

在一方面，一种用于极紫外光刻的相移掩模可包括：衬底；衬底上的反射层；反射层上的封盖层；封盖层上的缓冲图案，缓冲图案包括暴露封盖层的表面的开口；以及缓冲图案上的吸收器图案，吸收器图案包括氮和铬。缓冲图案可包括相对于吸收器图案具有蚀刻选择性的材料。吸收器图案中的氮的含量可根据与缓冲图案的距离不连续地或逐渐地改变。

在一方面，一种制造半导体装置的方法可包括：在晶圆上顺序地堆叠蚀刻目标层和光致抗蚀剂层；以及利用用于极紫外光刻的相移掩模对光致抗蚀剂层执行曝光处理。用于极紫外光刻的相移掩模可包括：衬底；衬底上的反射层；反射层上的封盖层；封盖层上的缓冲图案，缓冲图案包括暴露封盖层的表面的开口；以及缓冲图案上的吸收器图案，吸收器图案包括小于缓冲图案的折射率的折射率和大于缓冲图案的厚度的厚度。缓冲图案可包括相对于吸收器图案和封盖层具有蚀刻选择性的材料。

附图说明

鉴于附图和随附的详细描述，本发明构思将变得更加清楚。

图1是示出根据本发明构思的一些示例实施例的使用相移掩模的极紫外(EUV)光刻设备的概念图。

图2是示意性地示出根据本发明构思的一些示例实施例的相移掩模的平面图。

图3是示意性地示出根据本发明构思的一些示例实施例的相移掩模的剖视图。

图4A至图4C示出了根据本发明构思的一些示例实施例的吸收器图案的详细结构。