[发明专利]发光装置及包括所述发光装置的电子设备

权利要求书

1.发光装置，包括：

第一电极；

面向所述第一电极的第二电极；

位于所述第一电极与所述第二电极之间的m个发射单元；以及

m-1个电荷产生层，所述m-1个电荷产生层各自位于所述m个发射单元中的两个相邻的发射单元之间，并且包括m-1个n-型电荷产生层和m-1个p-型电荷产生层，

其中m是2或大于2的整数，

所述m个发射单元各自包括依次布置的空穴传输区、发射层和电子传输区，

在所述m个发射单元中最靠近所述第一电极的第一发射单元中的第一空穴传输区包括依次布置在所述第一电极与所述第一发射单元中的第一发射层之间的空穴转移层以及空穴注入层和空穴传输层中的至少一个，

所述空穴转移层是由电子传输化合物组成的单个层，

所述电子传输化合物包含P＝O、P＝S、含缺π电子的氮的C₁-C₆₀环状基团或其任意组合，以及

所述空穴转移层的最高占据分子轨道能级是-6.0eV至-5.3eV。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中m是3或大于3的整数。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电子传输化合物由式1或式2表示：

式1

[Ar₁]_a1-[(L₁)_b1-R₁]_c1

式2

[Ar₂]_a2-[(L₂)_b2-R₂]_c2，以及

其中，在式1和式2中，

Ar₁、Ar₂、L₁和L₂各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

a1和a2各自独立地是1、2或3，

b1和b2各自独立地是0、1、2、3、4或5，

R₁和R₂各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)、-P(＝O)(Q₁)(Q₂)或-P(＝S)(Q₁)(Q₂)，

c1和c2各自独立地是1、2、3、4或5，

Ar₁、L₁和R₁中的至少一个独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的含缺π电子的氮的C₁-C₆₀环状基团，以及

至少一个R₂基团是-P(＝O)(Q₁)(Q₂)或-P(＝S)(Q₁)(Q₂)，

其中R_10a是：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任意组合取代的C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团或C₁-C₆₀烷氧基基团；

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团或C₆-C₆₀芳硫基基团；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃以及Q₃₁至Q₃₃各自独立地是氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C₁-C₆₀烷基基团；C₂-C₆₀烯基基团；C₂-C₆₀炔基基团；C₁-C₆₀烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团。