[发明专利]一种锰硅合金低钙渣型冶炼工艺有效
申请号: | 202110657891.8 | 申请日: | 2021-06-11 |
公开(公告)号: | CN113528865B | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 曾仁福;闫好青;冯选杰;马智;杨旭;王先武;孙伟;高建鹏 | 申请(专利权)人: | 嘉峪关宏电铁合金有限责任公司 |
主分类号: | C22C1/02 | 分类号: | C22C1/02;C22C22/00;C22B5/10;C22B47/00 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 邓芸 |
地址: | 735100 *** | 国省代码: | 甘肃;62 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 合金 低钙渣型 冶炼 工艺 | ||
本发明公开了一种锰硅合金低钙渣型冶炼工艺,涉及铁合金生产技术领域,以解决低钙渣型下电极裹渣、炉内翻渣、操作炉型缩小、出铁出渣困难、渣铁分离不好、产品质量下降以及负荷给不足的技术问题,本发明包括如下步骤:步骤1、配料准备和入炉冶炼;步骤2、矿热炉内的冶炼控制;步骤3、出炉;步骤4、浇铸;本发明实现低钙渣型下矿热炉稳定顺行、产品质量稳定、生产指标进步的优点。
技术领域
本发明涉及铁合金生产技术领域,更具体的是涉及一种锰硅合金低钙渣型冶炼工艺技术领域。
背景技术
锰硅合金是由锰、硅、铁及少量碳和其它元素组成的合金,是一种用途较广、产量较大的铁合金。锰硅合金是炼钢常用的复合脱氧剂,又是生产中低碳锰铁和电硅热法生产金属锰的还原剂。
根据硅锰冶炼理论和生产实际,正常情况炉渣的渣型基本以钙渣型为主,炉渣中二氧化钙占比在20%-30%,炉渣碱度控制在0.6-0.75时,炉况稳定性较好、指标较优,实际生产中大多数企业碱度基本控制在0.65以上,以提高炉况的稳定性。然而随着渣中二氧化钙含量的增加,碱度升高,渣量也相应增加。
实践表明:生产1t锰硅合金,渣量每增加10%,冶炼电耗大约升高60-70kWh,同时随着渣量的增加,金属反应物浓度稀释,不利于合金的充分还原,对生产指标存在影响。同时高钙渣型对炉眼的冲刷以及化学侵蚀严重,存在穿炉风险,矿热炉炉体寿命收到影响。根据实际出发就需要低钙渣型工艺冶炼锰硅合金。
低钙渣型冶炼指的是碱度为0.45-0.55之间的冶炼工艺,控制渣中二氧化钙含量在10%-16%,渣中二氧化硅含量需降低至29%-32%之间。但是低钙渣型冶炼工艺容易造成电极裹渣、炉内翻渣、操作炉型缩小、出铁出渣困难、渣铁分离不好、产品质量下降以及负荷给不足等问题。
发明内容
本发明的目的在于:为了解决解决低钙渣型生产下电极裹渣、炉内翻渣、操作炉型缩小、出铁出渣困难、渣铁分离不好、产品质量下降以及负荷给不足的技术问题,本发明提供一种锰硅合金低钙渣型冶炼工艺。
本发明为了实现上述目的具体采用以下技术方案:
一种锰硅合金低钙渣型冶炼工艺,包括如下步骤:
步骤1:配料准备和入炉冶炼:配料包括锰矿配料和焦炭配料,把配料加入矿热炉中进行冶炼;
步骤2:矿热炉内的冶炼控制:在矿热炉内深插电极、强化电极压放、电极限位处于中下限位置控制、高电压操作和定期洗炉;深插电极能够提高渣铁过热度和改善渣铁分离效果,高电压操作能够提高二次电压、扩大熔池、稳定电极做功;
步骤3:出炉:采用双包出炉的工艺,出炉时采取开堵眼机开炉眼,炉眼打开后采用圆钢进行引流,加快出炉速度,缩短出炉时间;矿热炉需要勤换炉眼,具备条件的一炉一换,以改善低钙渣型下炉内熔池活度,提高炉况稳定性;减少堵眼打泥量,按照正常碱度下打泥量的80%-90%进行控制,为开炉眼创造条件。
步骤4:浇铸:出炉头包直接镇静30-40分钟,二包进行扒渣操作,扒完渣进行镇静30-40分钟;浇铸时先浇铸头包,头包浇铸至剩余1/5左右时将二包过到头包,进行镇静10分钟左右再浇铸,浇铸剩余包底时停止正常浇铸,包底铁单独在锭模上进行浇铸,经精整后入到成品中。
进一步地,步骤中1中,锰矿配料包括按重量份计的如下成分:进口锰矿(澳锰矿、巴西或者加蓬锰矿)35-45份、南非半碳酸18-25份、南非高铁矿13-15份、自产渣10-15份、除尘灰压球6-8份;焦炭配料包括按重量份计的如下成分:粒度20-40mm的化工焦60-70份,粒度10-30mm的化工焦30-40份。南非高铁矿是一种含铁较高的锰矿,自产渣是锰硅合金冶炼的一种副产品。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嘉峪关宏电铁合金有限责任公司,未经嘉峪关宏电铁合金有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110657891.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。