[发明专利]α粒子发射率测量方法

说明书

本发明涉及电子器件可靠性技术领域，公开了一种α粒子发射率测量方法，包括对粉末样品进行定型制样；分别对样品托盘和空的样品容器进行α粒子发射率背底测试，获得所述样品托盘的α粒子发射率和空的所述样品容器的α粒子发射率；对装满所述粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试，根据所述样品托盘的发射率和空的所述样品容器的α粒子发射率，获得所述粉末样品的α粒子发射率。通过根据实验需求对粉末样品进行定型和防沾污制样，来解决粉末样品存在形状不固定、容易被电离室气体吹起、容易污染托盘等问题。所述方法排除了试验设备对测试结果的干扰，解决了粉末样品α粒子发射率测试难题的同时还提高了试验准确度。

技术领域

本发明涉及电子器件可靠性技术领域，特别是涉及一种α粒子发射率测量方法。

背景技术

α粒子辐射存在于所有的半导体器件中，由α粒子辐射导致的软错误将导致电子设备出现数据丢失、功能异常等问题。在目前的技术手段中即使花费巨大代价对所用材料进行放射性杂质提纯，仍然无法避免α粒子引起的软错误。随着半导体器件的发展，其特征尺寸越来越小，集成度越来越高，将导致半导体器件抗α粒子辐射能力迅速下降，急需建立起半导体器件α粒子软错误率试验的评价方法和行业指导规范。

目前通常情况下，α粒子发射率测试设备针对的是块状样品。粉末样品因形状不固定、容易被电离室气体吹起、容易污染托盘等客观存在的难题，导致对粉末样品的α粒子发射率测试成为亟待解决的行业问题。

发明内容

基于此，有必要针对如何实现对粉末样品的α粒子发射率测试的问题，提供一种α粒子发射率测量方法。

一种α粒子发射率测量方法，包括对粉末样品进行定型制样；分别对样品托盘和空的样品容器进行α粒子发射率背底测试，获得所述样品托盘的α粒子发射率和空的所述样品容器的α粒子发射率；对装满所述粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试，根据所述样品托盘的发射率和空的所述样品容器的α粒子发射率，获得所述粉末样品的α粒子发射率。

上述α粒子发射率测量方法，通过根据实验需求对粉末样品进行定型和防沾污制样，来解决粉末样品存在形状不固定、容易被电离室气体吹起、容易污染托盘等问题。在测试中，通过分别对样品托盘和空的样品容器进行α粒子发射率背底测试，明确测试过程中样品托盘和空的样品容器中可能存在的干扰因素。通过明确的测试过程中α粒子发射率的计算方法，确定粉末样品的实际α粒子发射率。本发明提供的α粒子发射率测量方法适用于任意形状的定型粉末样品，可以解决粉末样品α粒子发射率测试难题，提高试验准确度。

在其中一个实施例中，所述对粉末样品进行定型制样包括确定所述粉末样品的样品容器；利用所述样品容器对所述粉末样品进行定型。

在其中一个实施例中，所述样品容器包括圆形容器。

在其中一个实施例中，采用超低α粒子发射率本底的材料制成所述样品容器。

在其中一个实施例中，在防沾污条件下，对粉末样品进行定型制样。

在其中一个实施例中，所述分别对样品托盘和空的样品容器进行α粒子发射率背底测试，获得所述样品托盘的α粒子发射率和空的所述样品容器的α粒子发射率包括获取所述样品托盘的表面积，以及对所述样品托盘进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间；根据所述样品托盘的表面积、对所述样品托盘进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间，获取所述样品托盘的α粒子发射率；获取所述样品容器的总表面积，以及对空的所述样品容器进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间；根据述样品托盘的α粒子发射率、所述样品容器的总表面积、对空的所述样品容器进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间，获取空的所述样品容器的α粒子发射率。

在其中一个实施例中，所述根据所述样品托盘的表面积、对所述样品托盘进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间，获取所述样品托盘的α粒子发射率包括：

根据表达式计算所述样品托盘的α粒子发射率；