[发明专利]绝缘导热垫片及其制备方法

权利要求书

1.一种绝缘导热垫片，其特征在于，包括绝缘导热材料、高分子聚合物与粘结剂，所述绝缘导热材料为二维片状结构，所述二维片状结构沿着该绝缘导热垫片的厚度方向取向，所述高分子聚合物呈丝状，将二维片状结构相互连接，最终贯穿于所述绝缘导热垫片内部，所述二维导热填料选自氮化硼、氮化铝、碳化硅中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的绝缘导热垫片，其特征在于，所述二维导热填料在片径5-300μm，优选10-200μm，最优为20-50μm。

3.根据权利要求1所述的绝缘导热垫片，其中所述二维导热填料占比50wt％-92wt％，优选60wt％-80wt％，更优选65wt％-75wt％。

4.根据权利要求1或2所述的绝缘导热垫片，其中所述网络结构由高分子聚合物拉丝形成，优选地，所述高分子聚合物选自PI、PE、PP、PS、PA、PTFE、ABS、PET、PVDF中的至少一种，并且优选地所述高分子聚合物为拉丝级，优选地，所述高分子聚合物占比1wt％-5wt％，优选为2wt％-4wt％。

5.根据前述任一项权利要求所述的绝缘导热垫片，其中所述粘结剂占比5wt％-49wt％，优选为15wt％-40wt％，更优选20wt％-30wt％，优选地，所述粘接剂选自环氧树脂、丙烯酸树脂、有机硅胶中的至少一种。

6.根据权利要求4所述的绝缘导热垫片，其中所述有机硅胶为液体有机硅胶，选自α,ω-二羟基聚二甲基硅氧烷、聚二甲基环硅氧烷、聚二甲基硅氧烷、聚二苯基硅氧烷、α,ω-二羟基聚甲基(3,3,3-三氟丙基)硅氧烷、α,ω-二乙基聚二甲基硅氧烷、氰基硅氧基硅烷中的至少一种。

7.根据前述任一项权利要求所述的绝缘导热垫片，其厚度为0.25-5mm，优选0.5-2mm。

8.一种制备绝缘导热垫片的方法，其包括以下步骤：

(a)将二维导热填料与高分子聚合物混合；

(b)通过剪切方式或高速离心旋转将所述高分子聚合物转变为丝状物，并将所述二维导热填料相互连接；

(c)加入粘接剂并充分混合，使高分子丝状物贯穿于整个体系中，形成网络结构；

(d)制成片材，优选地，该片材厚度为0.2-3.0mm，优选为0.5-2.0mm；

(e)将所述片材层叠后压制成块体，并固化成型，优选地，所述固化为加热固化或常温固化；

(f)将固化成型后的块体沿着所述片材层叠的高度方向切割成若干薄片，得到绝缘导热垫片，优选地，在该步骤中，切割方式选自线切割、激光切割、超声波切割、冷冻切割、超声波-冷冻切割中的一种。

9.根据权利要求8所述的方法，其中步骤(b)中采用高速剪切速率为5000-30000r/min，优选10000-25000r/min，剪切的时间为1-15min，优选5-10min。

10.根据权利要求8所述的方法，其中步骤(b)中采用高速离心旋转，转速5000-50000r/min，优选20000-30000r/min，旋转时间5-20min，优选10-15min。

11.根据权利要求8所述的方法，其中固化为加热固化，固化温度为180℃以下，优选150℃以下。

12.根据前述任一项权利要求所述的方法，其中步骤(f)中切割形成的薄片厚度为0.25-5mm，优选为0.5-2mm。

13.一种电子设备，其特征在于，该电子设备具备热源、散热部件、以及夹持于该热源与该散热部件之间的绝缘导热垫片，其中所述绝缘导热垫片是权利要求1-7中任一项所述的绝缘导热垫片或者采用权利要求8-12中所述的方法制得。