[发明专利]一种利于提升Q点充电率的GOA电路

权利要求书

1.一种利于提升Q点充电率的GOA电路，其特征在于，该电路包括有外部侦测单元，所述外部侦测单元包括有TFT T7，所述TFT T7的栅极连接有行扫描信号RD，所述外部侦测单元还包括有sense线路，所述sense线路与TFT T7的源极相连，所述sense线路上设置有开关Spre、开关Sam，所述开关Spre上连接有外部信号Vref，所述开关Sam上连接有外部信号ADC。

2.如权利要求1所述的一种利于提升Q点充电率的GOA电路，其特征在于，该电路还包括有上拉控制单元、反馈单元、上拉单元、反相器单元、下拉单元、下拉维持单元，所述外部侦测单元、上拉控制单元、反馈单元、上拉单元、反相器单元连接形成公共端Q点，所述反相器单元、下拉维持单元连接形成公共端QB点，所述下拉维持单元、下拉单元连接形成公共端形成公共端N点。

3.如权利要求2所述的一种利于提升Q点充电率的GOA电路，其特征在于，所述上拉控制单元包括有TFT T1，所述TFT T1通过所述Q点与TFT T7的漏极相连，所述TFT T1的栅极连接有CK1信号线，且所述TFT T1上还连接有STV信号线。

4.如权利要求2所述的一种利于提升Q点充电率的GOA电路，其特征在于，所述反馈单元包括有TFT T6，所述TFT T6的栅极连接于所述Q点。

5.如权利要求2所述的一种利于提升Q点充电率的GOA电路，其特征在于，所述上拉单元还包括有TFT T22、TFT T21、电容Cb，所述电容Cb一端、TFT T22的栅极、TFT T21的栅极均连接于所述Q点，所述TFT T22的漏极、TFT T21的漏极连接形成的公共端连接有CK2信号线，所述电容Cb的另一端与TFT T21的源极连接形成的公共端与行扫描信号G0连接，所述TFT T22的源极连接有级传信号Cout0。

6.如权利要求2所述的一种利于提升Q点充电率的GOA电路，其特征在于，所述反相器单元包括有TFT T51、TFT T52、TFT T53、TFT T54，所述TFT T54的栅极、TFT T52栅极连接于所述Q点，所述TFT T54的漏极、TFT T53源极连接于所述QB点，所述TFT T51的栅极、TFT T51的漏极、TFT T53的漏极连接形成的公共端连接有直流信号VGH。

7.如权利要求2所述的一种利于提升Q点充电率的GOA电路，其特征在于，所述下拉维持单元包括有TFT T41、TFT T42、TFT T43、TFT T44，所述TFT T41的栅极、TFT T42的栅极、TFTT43的栅极、TFT T44的栅极均连接于所述QB点，所述TFT T43的源极、TFT T44的漏极均连接于所述N点，所述TFT T41的漏极连接有行扫描信号G0，所述TFT T42的漏极连接有级传信号Cout0，所述TFT T43的漏极连接于所述Q点。

8.如权利要求2所述的一种利于提升Q点充电率的GOA电路，其特征在于，所述下拉单元包括有TFT T31、TFT T32、TFT T33，所述TFT T32的源极、TFT T33的漏极均连接于所述N点，所述TFT T31的栅极、TFT T32的栅极、TFT T33的栅极连接形成的公共端连接有级传信号Cout1。