[发明专利]存储器的光刻曝光方法

说明书

本发明公开了一种存储器的光刻曝光方法，在存储器制作的光刻工艺中，采用掩膜版曝光时，将存储器上的具有不同曝光尺寸要求的区域进行分拆，划分为不同的曝光分组，具有相同曝光解析力要求的区域划为一组，在曝光时对不同分组进行不同模式的能够相应满足该组解析力要求的曝光模式的曝光，在曝光时，采用不同的照明方式进行曝光：首先采用第一种曝光方式对存储阵列单元曝光分组进行曝光，然后保持晶圆在承台上不动，再采用第二种曝光方式对其他结构曝光分组进行曝光；全部曝光完成后，进行一次显影完成图形转移。本发明有针对性地为每组选择更佳的曝光方式，改善了图形转移的质量，并且可以在光刻能力有限的情况下。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造工艺领域，特别是指一种存储器的光刻曝光方法。

背景技术

在存储器（Memory）的制造工艺中，存储器单元尺寸缩小主要受制于光刻工艺的极限分辨率，为了实现极限分辨率，通常需要使用分辨率增强技术（Resolution EnhancementTechnique, RET），RET技术是根据已有的掩膜版设计图形，通过模拟计算确定最佳光照条件，以实现最大共同工艺窗口（Common Process Window），这部分工作一般是在新光刻工艺研发的早期进行。常见的分辨率增强技术主要包括离轴照明（OAI）、光学邻近校正（OPC）、移相掩模（PSM）、次分辨率辅助图（SRAF）等方法。大多数RET都对掩模的形状和相位进行一定程度的改动,从而达到提高图形转移质量的目标。

而RET技术如极化照明、离轴照明等，他们针对密集型图形做了优化，有较好的解析能力，但对于其他尺寸的图形则会变得更差。图1中所示曲线反映了传统照明、极化照明、离轴照明与器件尺寸之间的DOF关系。DOF为焦深，或者称之为景深，指光刻机聚焦后能清晰成像的一段焦平面的范围。因为存储器芯片中不光有Memory单元，还有其他很多类型的器件如数字逻辑控制、IO、解码电路等，如图2中所示，不同的功能单元，器件的CD（特征尺寸或者关键尺寸）要求和图形完全不一致。存储器中Memory阵列属于图形密集区域，而逻辑区以及IO区域属于相对的图形稀疏区域。这两部分区域在光刻工艺中对曝光解析能力具有不同的要求。

目前现有的光刻工艺，无法同时实现不同功能单元（或者说图形疏密程度不同的区域）的器件要求，为了实现平衡，需要各自牺牲一部分，因此存储阵列单元缩小受外围电路影响很大。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种存储器的光刻曝光方法，能在有限的光刻能力条件下缩小存储器件的尺寸。

为解决上述问题，本发明所述的存储器的光刻曝光方法，包含：

在存储器制作的光刻工艺中，采用掩膜版曝光时，将存储器上的具有不同曝光尺寸要求的区域进行分拆，划分为不同的曝光分组；

曝光分组的划分依据不同的曝光解析力要求，将具有相同曝光解析力要求的区域划为同一组，根据不同的曝光光照要求，将掩膜版上的图形划分为多个曝光分组；

在曝光时，对所述的不同曝光解析力要求的曝光分组分别进行不同的能够相应满足该曝光分组解析力要求并对其他的曝光分组影响最小的曝光模式的曝光。

进一步的改进是，所述存储器包含存储阵列单元区域以及其他结构区域，将存储器阵列单元区域和其他结构部分分拆为不同的曝光区域，以在掩膜版上能划分为不同的曝光分组：包括存储器的存储阵列单元曝光分组，以及存储器上除存储阵列单元以外的结构的图形所形成的其他结构曝光分组；所述的存储阵列单元曝光分组的图形具有最高的图形密集度，其他结构曝光分组具有相较存储阵列单元曝光分组更低的图形密集度。

进一步的改进是，所述存储器的所述其他结构曝光分组，包含逻辑器件区以及IO区域。