[发明专利]一种AB结构型涂锡铜带及加工工艺在审
| 申请号: | 202110640788.2 | 申请日: | 2021-06-09 |
| 公开(公告)号: | CN113488553A | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
| 发明(设计)人: | 焦艳艳;田利硕;魏雪健 | 申请(专利权)人: | 保定易通光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人: | 贾耀淇 |
| 地址: | 071051 河北省保定*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 ab 结构 型涂锡铜带 加工 工艺 | ||
本发明公开了一种AB结构型涂锡铜带及加工工艺,一种AB结构型涂锡铜带,包括若干光伏电池片和与若干光伏电池片焊接的铜带,铜带包括若干A段和若干B段;A段和B段的截面形状相同或不同;A段和B段首尾固定连接且间隔设置;A段的轴线与B段的轴线未在同一水平面上。本发明能够实现降低焊带对组件电力损失影响,提升组件的发电效率。
技术领域
本发明涉及光伏产品技术领域,特别是涉及一种AB结构型涂锡铜带及加工工艺。
背景技术
2010年之前,市场上主流的光伏组件大多为两主栅组件,转换效率比较低,60片组件的输出功率不到200W。随着技术不断进步,自2010年之后,电池片主栅数量几乎每两年都会经历一次革新,主栅数量从最初的两主栅逐渐增加至3主栅,4主栅到5主栅组件。而自2017年以来,市场开始纷纷推出MBB组件(即“多主栅组件”)。目前五主栅的电池市场已经几近消失,9主栅组件目前在市场上占比最大。
当前市场上的常用焊带为圆形焊带,其上方的入射光经过玻璃二次反射可被电池片有效吸收利用,从而提高光生载流子的收集率。假设光线从垂直于电池片主栅的平面内入射,圆形焊带的光路如图2显示,当光线入射时,焊带A10区域的光线会反射回空气,焊带上A11区域的光线经过焊带反射到玻璃上,根据折射定律,这部分光线会经玻璃再反射回电池片上,而焊带A13区域光线经过焊带直接反射到电池片上,同时经过计算发现,不管什么角度光线入射时,都存在这样三块区域,约有60%-70%的光线被利用。所以,圆线焊带应用到组件上,不能最大程度的将光线复用做到最大。
另外,圆形焊带焊接易发生虚焊现象,降低了组件的一次成型率。在金属结构方面,圆形焊带与电池片的接触面积过小,严重影响了导电性能的发挥。
由于光伏组件80%-90%的电力损失与焊带有关,随着平价、低价上网成为光伏市场的重要发展方向,推动光伏焊带产业的技术不断进步,在不影响电池遮光面积及串联工艺的前提下,提高电池应力分布的均匀性以降低碎片率,降低焊带对组件电力损失影响,提升组件的发电效率,成为焊带行业的重要发展趋势。
发明内容
本发明的目的是提供一种AB结构型涂锡铜带及加工工艺,以解决上述现有技术存在的问题,能够实现降低焊带对组件电力损失影响,提升组件的发电效率。
为实现上述目的,本发明提供了如下方案:
本发明提供一种AB结构型涂锡铜带,包括若干光伏电池片和与若干所述光伏电池片焊接的铜带,所述铜带包括若干A段和若干B段;所述A段和所述B段的截面形状相同或不同;所述A段和所述B段首尾固定连接且间隔设置;所述A段的轴线与所述B段的轴线未在同一水平面上。
优选的,所述A段的横截面形状为椭圆形,半圆形,三角形,梯形,三瓣及三瓣以上的梅花形和五边形及以上的多边形。
优选的,所述B段的横截面形状为椭圆形,半圆形、正梯形、倒梯形、矩形、五边形及以上的多边形和反三角形。
优选的,所述A段长度为LA,A到B段的过渡段长度为L,且0mm<L<10mm,则b+c+d≥LA≥b或b+c+d≥LA+L≥b,其中相邻两个所述光伏电池片的竖直侧壁分别为A1,B1,A2,B2,则一所述光伏电池片正面的栅线远离另一所述光伏电池片的一端与A1的最短距离为a,且与B1的最短距离为b;c为两个相邻的所述光伏电池片的间距;d为另一所述光伏电池片背面的外侧一列任一焊盘靠近栅线的一端与B2的最短距离。
优选的,所述B段的长度为LB,且e+f≥LB≥e,其中,e为另一所述光伏电池片背面的外侧两列焊盘的最大间距;f为另一所述光伏电池片背面的远离B1的一列焊盘的外侧一端与A2的最短距离。
优选的,所述A段和所述B段的长度和LA+LB≤b+c+d+e+f。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





