[发明专利]一种采用外部阻挡层提高玻璃基光波导芯部对称性的方法有效
申请号: | 202110637053.4 | 申请日: | 2021-06-08 |
公开(公告)号: | CN113391397B | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 郝寅雷;牛梦华;邓鑫宸;车录锋;周柯江 | 申请(专利权)人: | 浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司 |
主分类号: | G02B6/134 | 分类号: | G02B6/134 |
代理公司: | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人: | 徐锋 |
地址: | 312000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 采用 外部 阻挡 提高 玻璃 波导 对称性 方法 | ||
1.一种采用外部阻挡层提高玻璃基光波导芯部对称性的方法, 其特征在于,包括如下步骤:
通过离子交换处理在玻璃基片正面制作表面离子掺杂区、在玻璃 基片背面对应的非光波导区域形成高电阻率的外部阻挡层、以及电场 辅助离子迁移处理将表面离子掺杂区制作成掩埋式离子掺杂区;
所述的通过离子交换处理在玻璃基片正面制作表面离子掺杂区 的步骤包括:
在玻璃基片正面制作薄膜;
采用微细加工技术去除部分所述薄膜, 在玻璃基片正面形成条形 的离子交换窗口,形成条形光波导的掩膜;
将带有所述条形光波导掩膜的玻璃基片置于含有掺杂离子的熔 盐中进行离子交换处理, 使所述含有掺杂离子的熔盐中的掺杂离子通 过扩散在玻璃基片表面的离子交换窗口附近形成表面离子掺杂区;
去除形成了所述表面离子掺杂区的玻璃基片表面的光波导掩膜;
所述的在玻璃基片背面对应的非光波导区域形成高电阻率的外 部阻挡层的步骤包括:
在玻璃基背面表面制作亚微米厚度高电阻率薄膜;
采用微细加工技术去除部分所述高电阻率薄膜, 在玻璃基片 背面形成条形的窗口,形成外部阻挡层;
所述玻璃基片背面表面的外部阻挡层窗口的中心轴线与所述玻 璃基片表面所制作光波导的中心线重合;
所述玻璃基片背面表面的外部阻挡层的窗口宽度小于所述玻璃 基片光波导芯部的宽度;
所述的通过离子交换处理和电场辅助离子迁移处理, 在背面带有 外部阻挡层的玻璃基片上形成掩埋式离子掺杂区的步骤包括:
在所述带有外部阻挡层和表面离子掺杂区的玻璃基片的两侧分 别放置不含掺杂离子的熔盐,将熔盐加热熔化;
在所述不含掺杂离子的熔盐中分别插入电极引线, 其中表面离子 掺杂区所在一侧的电极引线连接电源正极,另一侧连接电源负极;
开启电源, 对所述带有外部阻挡层和表面离子掺杂区的玻璃基片 进行电场辅助离子迁移处理, 使所述玻璃基片表面的表面离子掺杂区 在直流电场作用下向内部推进,形成掩埋式离子掺杂区;
去除外部阻挡层薄膜;
其中, 在进行所述电场辅助离子迁移处理过程中, 玻璃基片背面 高电阻率的外部阻挡层使离子掺杂区附近的电场分布呈现横向汇聚 的特征, 抑制了玻璃基片中离子掺杂区在电场辅助离子迁移过程中的 横向展宽趋势, 提高了玻璃基片中作为光波导芯部的掩埋式离子掺杂 区的对称性。
2.根据权利要求 1 所述的一种采用外部阻挡层提高玻璃基光波 导芯部对称性的方法,其特征在于:所述玻璃基片的材料为硅酸盐玻 璃、硼硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃或硼酸盐玻璃。
3.根据权利要求 1 所述的一种采用外部阻挡层提高玻璃基光波 导芯部对称性的方法,其特征在于,所述离子掺杂区的掺杂离子为 Ag+、Tl+或 Cs+。
4.如权利要求 1 所述的一种采用外部阻挡层提高玻璃基光波 导芯部对称性的方法,其特征在于:所述外部阻挡层为 Al2O3、 TiO2或者 SiO2。
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