[发明专利]一种采用外部阻挡层提高玻璃基光波导芯部对称性的方法有效

专利信息
申请号: 202110637053.4 申请日: 2021-06-08
公开(公告)号: CN113391397B 公开(公告)日: 2023-05-30
发明(设计)人: 郝寅雷;牛梦华;邓鑫宸;车录锋;周柯江 申请(专利权)人: 浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司
主分类号: G02B6/134 分类号: G02B6/134
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 徐锋
地址: 312000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 采用 外部 阻挡 提高 玻璃 波导 对称性 方法
【权利要求书】:

1.一种采用外部阻挡层提高玻璃基光波导芯部对称性的方法, 其特征在于,包括如下步骤:

通过离子交换处理在玻璃基片正面制作表面离子掺杂区、在玻璃 基片背面对应的非光波导区域形成高电阻率的外部阻挡层、以及电场 辅助离子迁移处理将表面离子掺杂区制作成掩埋式离子掺杂区;

所述的通过离子交换处理在玻璃基片正面制作表面离子掺杂区 的步骤包括:

在玻璃基片正面制作薄膜;

采用微细加工技术去除部分所述薄膜, 在玻璃基片正面形成条形 的离子交换窗口,形成条形光波导的掩膜;

将带有所述条形光波导掩膜的玻璃基片置于含有掺杂离子的熔 盐中进行离子交换处理, 使所述含有掺杂离子的熔盐中的掺杂离子通 过扩散在玻璃基片表面的离子交换窗口附近形成表面离子掺杂区;

去除形成了所述表面离子掺杂区的玻璃基片表面的光波导掩膜;

所述的在玻璃基片背面对应的非光波导区域形成高电阻率的外 部阻挡层的步骤包括:

在玻璃基背面表面制作亚微米厚度高电阻率薄膜;

采用微细加工技术去除部分所述高电阻率薄膜, 在玻璃基片 背面形成条形的窗口,形成外部阻挡层;

所述玻璃基片背面表面的外部阻挡层窗口的中心轴线与所述玻 璃基片表面所制作光波导的中心线重合;

所述玻璃基片背面表面的外部阻挡层的窗口宽度小于所述玻璃 基片光波导芯部的宽度;

所述的通过离子交换处理和电场辅助离子迁移处理, 在背面带有 外部阻挡层的玻璃基片上形成掩埋式离子掺杂区的步骤包括:

在所述带有外部阻挡层和表面离子掺杂区的玻璃基片的两侧分 别放置不含掺杂离子的熔盐,将熔盐加热熔化;

在所述不含掺杂离子的熔盐中分别插入电极引线, 其中表面离子 掺杂区所在一侧的电极引线连接电源正极,另一侧连接电源负极;

开启电源, 对所述带有外部阻挡层和表面离子掺杂区的玻璃基片 进行电场辅助离子迁移处理, 使所述玻璃基片表面的表面离子掺杂区 在直流电场作用下向内部推进,形成掩埋式离子掺杂区;

去除外部阻挡层薄膜;

其中, 在进行所述电场辅助离子迁移处理过程中, 玻璃基片背面 高电阻率的外部阻挡层使离子掺杂区附近的电场分布呈现横向汇聚 的特征, 抑制了玻璃基片中离子掺杂区在电场辅助离子迁移过程中的 横向展宽趋势, 提高了玻璃基片中作为光波导芯部的掩埋式离子掺杂 区的对称性。

2.根据权利要求 1 所述的一种采用外部阻挡层提高玻璃基光波 导芯部对称性的方法,其特征在于:所述玻璃基片的材料为硅酸盐玻 璃、硼硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃或硼酸盐玻璃。

3.根据权利要求 1 所述的一种采用外部阻挡层提高玻璃基光波 导芯部对称性的方法,其特征在于,所述离子掺杂区的掺杂离子为 Ag+、Tl+或 Cs+。

4.如权利要求 1 所述的一种采用外部阻挡层提高玻璃基光波 导芯部对称性的方法,其特征在于:所述外部阻挡层为 Al2O3、 TiO2或者 SiO2。

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