[发明专利]一种Bi12 在审
申请号: | 202110636104.1 | 申请日: | 2021-06-08 |
公开(公告)号: | CN113477266A | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 董红军;左延;李春梅;朱达强;肖梦雅;洪士欢;宋宁 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
主分类号: | B01J27/24 | 分类号: | B01J27/24;B01J37/10;C07C1/02;C07C9/04;C01B32/40;B01D53/86;B01D53/62 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 212013 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 bi base sub 12 | ||
本发明属于纳米材料制备技术领域,具体涉及一种Bi12O17Cl2/g‑C3N4复合体系及其制备方法与应用。本发明利用简单快速的水热法制备了一种“三明治”型Bi12O17Cl2/g‑C3N4复合体系。所制备的Bi12O17Cl2/g‑C3N4复合体系从纳米尺度进行形态和结构调控,可显著提高对光的收集能力和载流子的分离效率,同时增加比表面积和表面活性位点,在可见光下还原二氧化碳显示出优异的光催化活性,大大提高对二氧化碳还原的效率。本发明工艺简单、操作方便、反应时间较短,从而减少了能耗和生产成本,便于批量生产,无毒无害,符合环境友好要求。
技术领域
本发明属于纳米材料制备技术领域,具体涉及一种Bi12O17Cl2/g-C3N4复合体系及其制备方法与应用。
背景技术
近年来,大量半导体的发现促进了光电行业的快速发展。其中,石墨相g-C3N4材料(简称g-C3N4)具有良好的光学性能和独特的表面吸附能力,受到广泛的关注。g-C3N4是一种独特的非金属半导体光催化材料,具有较窄的禁带宽度 (2.7 eV),能够响应可见光,具有耐酸、耐碱、耐腐蚀等特点,是光催化二氧化碳还原领域的研究热点之一。然而g-C3N4也存在着一定的不足,如比表面积低下,电子空穴对容易复合,从而导致其光催化性能低下。现有研究表明,利用g-C3N4优越的吸附能力以及和金属氧化物的不同能级的协同效应,可以大幅度的提高电子-空穴对的高效分离,在一定程度上提高光催化性能。
氯氧化铋是一种新型的光催化剂,具有无毒性,低成本的优点,其具有优异的半导体特性和晶体的特殊结构,在一定程度上,提高了光催化性能。然而,单一的氯氧化铋由于光生载流子复合率高,光催化活性较低。到目前为止,尚未发现有关于Bi12O17Cl2与g-C3N4相关的研究报道。
发明内容
有鉴于此,本发明目的在于提供一种Bi12O17Cl2/g-C3N4复合体系及其制备方法与应用。本发明利用简单快速的水热法合成一种“三明治”型的Bi12O17Cl2/g-C3N4复合体系,可用于光催化二氧化碳还原领域。
为达到以上目的,本发明采用如下技术方案:
本发明提供了一种Bi12O17Cl2/g-C3N4复合体系,所述的复合体系以Bi12O17Cl2为复合结构单元,与g-C3N4构建为“三明治”型形貌的复合体系,所述的复合体系中Bi12O17Cl2与g-C3N4的质量百分比为1 wt% ~7 wt%。
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