[发明专利]辅助测量电路、测量电路及半导体器件电信号测量方法有效

专利信息
申请号: 202110628805.0 申请日: 2021-06-01
公开(公告)号: CN113406467B 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: 栾越;林鸿旸;罗文奇 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 代理人: 刘莹;聂国斌
地址: 430000 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 辅助 测量 电路 半导体器件 电信号 测量方法
【说明书】:

本申请公开了一种辅助测量电路及半导体器件电信号测量方法,辅助测量电路包括:待测电信号的输入端;连接至测量单元的第一电信号通道;以及超量程测量模块。超量程测量模块连接于待测电信号的输入端与第一电信号通道之间,并包括:校准系数确定单元,包括输入校准电信号的第二电信号通道和第一开关;以及连接至第一电信号通道的超量程单元,第一开关被配置为将超量程单元选择性地连接至待测电信号的输入端或第二电信号通道,以通过超量程单元减小待测电信号或校准电信号。本申请提供的辅助测量电路结构可在半导体器件电性能测量中实现对电信号超量程且精确的测量。

技术领域

本申请公开的内容涉及电子测试领域,并具体涉及一种辅助测量电路、一种测量电路、一种半导体器件电信号测量方法、一种测量设备及一种计算机可读存储介质。

背景技术

在常规的半导体电性能测量中,当需要测量半导体器件的管脚上的电压值或电流值时,通常选用ATE(Automatic Test Equipment,自动测试设备)机台上的诸如精密测量单元(PMU,Precision Measurement Unit)等测量单元进行测量。具体地,精密测量单元可驱动电流进入半导体器件而去测量该半导体器件的电压值,或者,精密测量单元可为半导体器件施加电压而去测量该半导体器件的电流值。进一步地,在对精密测量单元进行编程时,驱动功能可选择为电压或者电流,如果选择驱动功能为电流,则测量半导体器件的电信号的模式自动被设置成电压;反之,如果选择驱动功能为电压,则测量半导体器件的电信号的模式自动被设置成电流。

因此,常规的半导体器件电信号的测量值的测量精度和测量范围完全依靠ATE机台的精密测量单元。如果半导体器件的输出电信号值超过了上述ATE机台的精密测量单元的量程范围,那么一般情况下就需要更换新型号的ATE机台来满足测试需求,但是这往往是得不偿失的。

综上,如何在不更换新型号ATE机台的同时,实现对待测半导体器件的电性能测量是目前电子测试领域亟待解决的难题之一。

发明内容

本申请提供了一种可至少部分解决现有技术中存在的上述问题的辅助测量电路以及半导体器件电信号测量方法。

本申请一方面提供了一种辅助测量电路,所述辅助测量电路包括:待测电信号的输入端;第一电信号通道,连接至测量单元;以及超量程测量模块,连接于所述待测电信号的输入端与所述第一电信号通道之间,并包括:校准系数确定单元,包括输入校准电信号的第二电信号通道和第一开关;以及超量程单元,连接至所述第一电信号通道,其中,所述第一开关被配置为将所述超量程单元选择性地连接至所述待测电信号的输入端或所述第二电信号通道,以通过所述超量程单元减小所述待测电信号或所述校准电信号。

根据本申请的一个实施方式,所述超量程单元包括第一电阻和第二电阻,所述第一电阻设置于所述第一开关与所述第一电信号通道之间,所述第二电阻设置于所述第一电信号通道与地电平之间。

根据本申请的一个实施方式,所述超量程单元包括第一电阻和第二电阻,所述第一电阻设置于所述第一开关与地电平之间,所述第二电阻设置于所述第一开关与所述第一电信号通道之间。

根据本申请的一个实施方式,当通过所述第一开关将所述超量程单元连接至所述第二电信号通道时,所述辅助测量电路用于将所述校准电信号减小至所述测量单元的量程范围内。

根据本申请的一个实施方式,当通过所述第一开关将所述超量程单元连接至所述待测电信号的输入端时,所述辅助测量电路用于将所述待测电信号减小至所述测量单元的量程范围内。

根据本申请的一个实施方式,所述辅助测量电路还包括设置于所述待测电信号输入端与所述第一电信号通道之间的第二开关,所述第二开关用于选择性地实现所述待测电信号输入端和所述第一电信号通道的直接电连接。

根据本申请的一个实施方式,所述辅助测量电路还包括保护单元,所述保护单元用于在所述第一开关将所述超量程单元连接至所述第二电信号通道时,控制所述第二开关断开。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司,未经长江存储科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110628805.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top