[发明专利]应用于鳍式场效应晶体管的截断方法

说明书

本申请公开了一种应用于鳍式场效应晶体管的截断方法，涉及半导体制造领域。该方法包括提供半导体衬底，半导体衬底上形成有鳍式场效应晶体管的鳍体；形成第一介质层，第一介质层覆盖鳍体的顶部、侧面、鳍体之间的半导体衬底；进行若干次鳍体截断工艺，去除非必要鳍体；通过湿法腐蚀工艺去除第一介质层；其中，每次鳍体截断工艺包括：在第一介质层表面形成第二介质层；通过光刻工艺定义鳍体的截断区域；通过刻蚀工艺去除截断区域对应的鳍体；去除半导体衬底表面残余的光刻胶；通过湿法腐蚀工艺去除第二介质层；解决了目前鳍式场效应晶体管截断工艺过程造成鳍体特征尺寸变小的问题；达到了保证鳍体在截断工艺后特征尺寸仍满足性能需求的效果。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种应用于鳍式场效应晶体管的截断方法。

背景技术

鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor，FinFET)是一种互补式金属氧化物半导体晶体管。

在鳍式场效应晶体管的工艺过程中，在形成鳍体后，还需要通过截断工艺将不必要的鳍体去除。目前截断工艺采用光刻方式定义截断区域，再通过干法刻蚀将截断区域内的鳍体去除。

在截断区域内的鳍体被去除后，还需要去除残余的光刻胶。然而，去胶过程中鳍体表面会因氧化而形成氧化硅层，在清洗去除器件表面副产物时鳍体表面的氧化硅层也会流失，导致鳍体的关键尺寸(critical dimension，CD)减小，进而影响器件性能。

发明内容

为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种应用于鳍式场效应晶体管的截断方法。该技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种应用于鳍式场效应晶体管的截断方法，该方法包括：

提供半导体衬底，半导体衬底上形成有鳍式场效应晶体管的鳍体；

形成第一介质层，第一介质层覆盖鳍体的顶部、侧面、鳍体之间的半导体衬底；

进行若干次鳍体截断工艺，去除非必要鳍体；

通过湿法腐蚀工艺去除第一介质层；

其中，每次鳍体截断工艺包括：

在第一介质层表面形成第二介质层；

通过光刻工艺定义鳍体的截断区域；

通过刻蚀工艺去除截断区域对应的鳍体；

去除半导体衬底表面残余的光刻胶；

通过湿法腐蚀工艺去除第二介质层。

可选的，第一介质层为氮化硅层。

可选的，通过湿法腐蚀工艺去除第一介质层，包括：

利用磷酸溶液去除第一介质层。

可选的，第二介质层为氧化硅层。

可选的，通过湿法腐蚀去除第二介质层，包括：

利用氢氟酸溶液和/或硫酸溶液去除第二介质层。

可选的，鳍体的顶部形成有硬掩膜层。

可选的，硬掩膜层由依次叠加的氧化层、氮化层、氧化层构成。

可选的，通过光刻工艺定义鳍体的截断区域，包括：

在半导体衬底涂布旋涂碳，旋涂碳完全填充鳍体之间的间隙；

在旋涂碳层的表面涂布光刻胶；

利用包括截断区域图案的掩膜版对半导体衬底进行曝光，显影后在光刻胶层和旋涂碳层定义出截断区域。

本申请技术方案，至少包括如下优点：