[发明专利]一种纳米网状表面电极的三结砷化镓太阳电池的制备方法有效
申请号: | 202110616416.6 | 申请日: | 2021-06-03 |
公开(公告)号: | CN113066907B | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 李俊承;米万里;吴洪清;徐培强;白继锋;潘彬;王向武 | 申请(专利权)人: | 南昌凯迅光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0687 |
代理公司: | 南昌金轩知识产权代理有限公司 36129 | 代理人: | 李楠 |
地址: | 330000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 网状 表面 电极 三结砷化镓 太阳电池 制备 方法 | ||
1.一种具有纳米网状表面电极的三结砷化镓太阳电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:对外延片进行背电极制作、正面焊点图形制作和活化处理得到活化外延片;
其中,S1所述制作背电极的方法为:对电池外延片的的背面进行清洗后蒸镀背电极,背电极含有金属Pd;
所述清洗的方法为:在外延片的正面采用等离子增强化学气相沉积方式沉积厚度为200nm-500nm的SiO2层,采用的沉积温度为200℃;然后在SiO2层上采用旋涂法涂覆液态聚酰亚胺,涂覆完成后在450℃和N2环境中固化60min形成聚酰亚胺薄膜对外延片正面进行保护,然后采用硝酸、氢氟酸和醋酸的混合酸液对外延片背面腐蚀5min,使用去离子水冲洗干净混合酸液;
S2:将聚苯乙烯纳米球分散剂采用450倍-550倍的水稀释后,加入水质量的3%-5%的十二烷基磺酸钠,在温度为20℃-30℃,湿度为40%-60%下静置4h-6h,使得聚苯乙烯纳米球在溶液表面形成紧密的单分子膜层,得到聚苯乙烯纳米球混合液;
S3:将S1的活化外延片从一侧缓慢沉入S2制备的聚苯乙烯纳米球混合液中,使得外延片表面从单分子膜层下方缓慢经过,将聚苯乙烯纳米球转移到外延片表面;
S4:将附着有聚苯乙烯纳米球的外延片表面自然干燥,形成紧密排列的聚苯乙烯纳米球模板;
S5:将S4干燥后的外延片在115℃-125℃下,氮气环境中,加热25min-35min,至外延片表面的小球直径缩小为原来的80%-85%,形成网状结构;
S6:利用电子束蒸发的方式,在外延片表面沉积2μm-3μm的Ag,在丙酮溶液中超声使得聚苯乙烯纳米球和外延片分离,在分离的同时带走蒸镀在聚苯乙烯纳米球上的正极金属,留下的金属形成网格状电极;
S7:使用退火炉对外延片进行退火,使用金刚石切割机进行划片切割,形成单体电池。
2.根据权利要求1所述一种具有纳米网状表面电极的三结砷化镓太阳电池的制备方法,其特征在于,S1所述外延片的制备方法为:在Ge基板上,采用金属有机气相沉积方式依次外延生长制作出Ge电池、GaAs电池与InGaP电池。
3.根据权利要求2所述一种具有纳米网状表面电极的三结砷化镓太阳电池的制备方法,其特征在于,各个子电池之间,以隧穿结进行连接,隧穿结为GaAs同质隧穿结或者AlGaAs/GaInP异质隧穿结,在结尾处,生长300nm-500nm的N型GaAs,作为欧姆接触层。
4.根据权利要求1所述一种具有纳米网状表面电极的三结砷化镓太阳电池的制备方法,其特征在于,所述硝酸、所述氢氟酸和所述醋酸的体积之比为2:1:7或1:1:6,其中硝酸的质量浓度为65%-85%;氢氟酸质量浓度为40%,醋酸质量浓度为85%。
5.根据权利要求1所述一种具有纳米网状表面电极的三结砷化镓太阳电池的制备方法,其特征在于,所述蒸镀背电极的方法为:使用电子束蒸发的方式,蒸镀背面电极,背电极的材料为PdAgAu或者PdAg。
6.根据权利要求1所述一种具有纳米网状表面电极的三结砷化镓太阳电池的制备方法,其特征在于,S1所述正面焊点图形制作之前包括对外延片正面进行清洗。
7.根据权利要求6所述一种具有纳米网状表面电极的三结砷化镓太阳电池的制备方法,其特征在于,所述正面进行清洗的方法为:使用手术刀片将正极表面的聚酰亚胺薄膜划出沟道,使用10%的HF水溶液,对正极表面进行浸泡去除聚酰亚胺薄膜,然后将电池外延片依次在丙酮超声5min、异丙醇超声5min,最后在110℃下氮气氛围中烘15min即得。
8.根据权利要求1或7所述一种具有纳米网状表面电极的三结砷化镓太阳电池的制备方法,其特征在于,S1所述正面焊点图形制作的方法为:采用负胶曝光出特定图形后进行金属电极蒸镀,蒸镀完成后浸泡丙酮溶液,剥离出电极图形。
9.根据权利要求8所述一种具有纳米网状表面电极的三结砷化镓太阳电池的制备方法,其特征在于,所述金属电极蒸镀为依次蒸镀AuGe、Au、Ag和Au,蒸镀厚度分别为150nm、50nm、3500nm和100nm。
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