[发明专利]基于ReS2 在审
| 申请号： | 202110608378.X | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN113533295A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李振;邵明瑞;满宝元;张超;郁菁 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;C23C14/58;C23C14/35;C23C14/32;C23C14/24;C23C14/16;C01G47/00 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 闫伟姣 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 res base sub | ||
1.一种基于ReS2的三维SERS基底，其特征在于，包括基片，所述基片表面依次包覆Au、ReS2及Ag薄膜。
2.一种如权利要求1所述三维SERS基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基片上蒸镀一层Au薄膜；
将高铼酸铵、盐酸羟胺和L-半胱氨酸混合在去离子水中，得到前驱液；
将蒸镀有Au薄膜的基片和前驱液加热得到包覆有Au/ReS2复合纳米片的基底；
在包覆有Au/ReS2复合纳米片的基底上蒸镀一层Ag薄膜，即得到Au/ReS2/Ag复合结构的SERS基底。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在基片上蒸镀一层Au薄膜之前，对基片进行清洗。
4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述蒸镀采用真空蒸发镀膜法、磁控溅射镀膜法或离子镀膜法。
5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述Au薄膜为7nm。
6.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述高铼酸铵、盐酸羟胺和L-半胱氨酸的浓度均为0.1M，体积分别为0.4～1ml、3ml和3ml，去离子水的体积为3ml。
7.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，将蒸镀有Au薄膜的基片和前驱液加热采用25～500ml水热反应釜，温度达到200℃后，恒温2-6小时，然后缓慢降温至室温。
8.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述Ag薄膜为15nm。
9.一种SERS传感器，其特征在于，包括如权利要求1所述的SERS基底。
10.一种SERS传感器系统，其特征在于，包括如权利要求9所述的SERS传感器。
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