[发明专利]一种基于铌酸锂薄膜的凹槽辅助式声光调制器

权利要求书

1.一种声光调制器，其特征在于，所述声光调制器包括：

铌酸锂薄膜层；

设置于所述铌酸锂薄膜层上的铌酸锂薄膜波导和叉指换能器，其中，所述铌酸锂薄膜波导的顶部刻有凹槽；

所述声光调制器还包括设置于所述铌酸锂薄膜层下方的掩埋氧化层；所述铌酸锂薄膜层包括调制区域和非调制区域，其中，所述调制区域为所述铌酸锂薄膜波导下方和所述叉指换能器下方的预设范围内的区域，所述调制区域的一侧设置有第一反射槽，所述调制区域的另一侧设置有第二反射槽，所述第一反射槽和所述第二反射槽均贯穿所述铌酸锂薄膜层和所述掩埋氧化层。

2.根据权利要求1所述的一种声光调制器，其特征在于，所述铌酸锂薄膜波导与所述叉指换能器分别位于所述铌酸锂薄膜层的两侧，且间隔预设距离。

3.根据权利要求1所述的一种声光调制器，其特征在于，所述铌酸锂薄膜波导为梯形柱状波导，且所述铌酸锂薄膜波导与所述铌酸锂薄膜层的接触面为所述梯形柱状波导中面积最大的一个面。

4.根据权利要求1所述的一种声光调制器，其特征在于，所述凹槽包括若干个子凹槽，所述若干个子凹槽以所述铌酸锂薄膜波导上表面的中心线为对称轴对称分布。

5.根据权利要求4所述的一种声光调制器，其特征在于，所述若干个子凹槽包括第一子凹槽和第二子凹槽，所述第一子凹槽和所述第二子凹槽均为梯形凹槽，且所述第一子凹槽和所述第二子凹槽的两端均设置有锥形结构。

6.根据权利要求1所述的一种声光调制器，其特征在于，所述叉指换能器包括第一金属电极，第二金属电极，以及与所述第一金属电极相连的第一金属导线，与所述第一金属导线相连的第一金属导电板，与所述第二金属电极相连的第二金属导线，与所述第二金属导线相连的第二金属导电板。

7.根据权利要求1所述的一种声光调制器，其特征在于，所述调制区域下方为连接槽，所述连接槽位于所述第一反射槽和所述第二反射槽中间，且所述连接槽分别与所述第一反射槽、所述第二反射槽贯通。

8.一种微环谐振腔，其特征在于，所述微环谐振腔的直波导区域包含权利要求1-7任一所述的声光调制器。

9.一种马赫-曾德尔干涉仪，其特征在于，所述马赫-曾德尔干涉仪中至少一个干涉臂包含权利要求1-7任一所述的声光调制器。