[发明专利]一种无刺花椒组培苗的切割方法

权利要求书

1.一种无刺花椒组培苗的切割方法，其特征在于，包括以下步骤：将经过初代培养的无刺花椒萌芽茎段置于超净工作台上的无菌接种盘中，用灭菌的工具将无刺花椒萌芽茎段的基部即浸入培养基的一端的组织切除，露出新鲜组织，然后切成1～3片叶茎段。

2.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述无刺花椒萌芽茎段在切割过程中，顶芽切成1～2cm长，带2～4片叶的茎段。

3.根据权利要求1或2所述的切割方法，其特征在于，所述无刺花椒萌芽茎段在切割过程中，除靠近培养基水渍状、黄花的老叶片需切除外，其余所有叶片均需保留。

4.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述初代培养，包括：将无刺花椒萌芽茎段置于培养基中，并在黑暗环境中培养5～9天，再置于光照强度为900～1100lux条件下培养6～8天，然后将光照强度增加至1900～2100lux培养12～16天，直至无刺花椒萌芽茎段生长至高度3～4cm，3～4个节间，且腋芽萌发数量不少于2个；所述初代培养过程中的培养基成分组成为：MS基础培养基、玉米素(ZT)为2.0mg·L^-1、萘乙酸(NAA)为0.1mg·L^-1、卡拉胶为6.0g·L^-1、蔗糖为30g·L^-1和植物组培抗菌剂为(PPM)0.1％。

5.根据权利要求1或4所述的切割方法，其特征在于，所述继代增殖培养的方法，包括以下步骤：将经过初代培养且利用权利要求1～3任一项所述方法进行切割后的进行第二代培养：将切割好的茎段置于培养基中，并在黑暗环境中培养5～9天后，及时置于光照强度为900～1100lux条件下培养6～8天，然后将光照强度增加至1900～2100lux培养12～16天，直至茎段生长至高度3～4cm，3～4个节间，且腋芽萌发数量不少于2个；

所述第二代培养过程中的培养基成分组成为：MS基础培养基、玉米素(ZT)为2.0mg·L^-1、萘乙酸(NAA)为0.1mg·L^-1、卡拉胶为6.0g·L^-1、蔗糖为30g·L^-1和植物组培抗菌剂为(PPM)0.1％；

重复切割和第二代培养进行继代增殖培养，直至培养基中PPM用量为0时结束，且继代增殖培养代数不少于4代；

所述继代增殖培养的培养基成分组成为：MS基础培养基、ZT为1.0～2.0mg·L^-1、NAA为0.1mg·L^-1、卡拉胶为6.0g·L^-1、蔗糖30g·L^-1和PPM为0～0.05％；

所述继代增殖培养代数每增加1～2次，PPM用量降低0.01％。

6.根据权利要求5所述的切割方法，其特征在于，在重复切割和第二代培养时，第三代培养和第四代培养的培养基成分中ZT用量均为2.0mg·L^-1。

7.根据权利要求5所述的切割方法，其特征在于，所述继代增殖培养代数超过4代后，培养基成分中ZT用量需根据增殖的腋芽茎段节间长度和腋芽数量进行调整，当腋芽茎段密集且腋芽丛生时，ZT用量为1.0～1.25mg·L^-1，当腋芽茎段节间长且腋芽萌发较少时，ZT用量为1.25～1.5mg·L^-1。

8.根据权利要求5所述的切割方法，其特征在于，所述继代增殖培养过程中，PPM用量随着继代次数的增加每次减少0.01％。

9.根据权利要求5所述的切割方法，其特征在于，在整个继代增殖培养期间，每天的光照培养时间为10h，温度为23～27℃。