[发明专利]一种辐照环境下的阻变存储器伏安特性测试系统在审
申请号: | 202110597783.6 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN113393894A | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 张嘉伟;陈俊辉;秦司晨;刘朝辉 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | G11C29/56 | 分类号: | G11C29/56 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 刘娜 |
地址: | 710048 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 辐照 环境 存储器 伏安 特性 测试 系统 | ||
1.一种辐照环境下的阻变存储器伏安特性测试系统,其特征在于,包括能够供电的程控电源(1),所述程控电源(1)连接微探针测试系统(2)、半导体参数分析仪(3),所述微探针测试系统(2)和半导体参数分析仪(3)均连接测试金属探针导体(4),所述测试金属探针导体(4)外部分套接多层绝缘结构(5),两个所述测试金属探针导体(4)末端均连接在待测阻变存储器上。
2.根据权利要求1所述一种辐照环境下的阻变存储器伏安特性测试系统,其特征在于,所述多层绝缘结构(5)包括套接在测试金属探针导体(4)外的内环氧树脂绝缘层(501),所述内环氧树脂绝缘层(501)外依次套接内金属铜屏蔽层(502)、外环氧树脂绝缘层(503)和外金属铜屏蔽层(504),所述内金属铜屏蔽层(502)外壁接地。
3.根据权利要求2所述一种辐照环境下的阻变存储器伏安特性测试系统,其特征在于,所述测试金属探针导体(4)的材质为金属铜,所述金属铜外表面镀金膜。
4.根据权利要求2所述一种辐照环境下的阻变存储器伏安特性测试系统,其特征在于,所述内环氧树脂绝缘层(501)、外环氧树脂绝缘层(503)由环氧树脂绝缘经真空浸渍制备。
5.根据权利要求2所述一种辐照环境下的阻变存储器伏安特性测试系统,其特征在于,所述内金属铜屏蔽层(502)、外金属铜屏蔽层(504)是由金属铜经过磁控溅射制备。
6.根据权利要求1所述一种辐照环境下的阻变存储器伏安特性测试系统,其特征在于,所述微探针测试系统(2)包括支撑底座(201),所述支撑底座(201)上通过支撑杆连接支撑平板(202),所述支撑平板(202)上开设U型槽(203),所述支撑底座(201)上位于U型槽(203)正下方固定连接升降台(204),所述升降台(204)上固定连接测量卡盘(205),所述支撑平板(202)上位于U型槽(203)两侧分别连接一个能够导电的探针固定装置(206),其中一个所述探针固定装置(206)一端通过导线连接程控电源(1),另一端连接测试金属探针导体(4),另一个探针固定装置(206)一端通过导线连接半导体参数分析仪(3),另一端连接另一个测试金属探针导体(4)。
7.根据权利要求6所述一种辐照环境下的阻变存储器伏安特性测试系统,其特征在于,所述支撑平板(202)上还连接高倍显微镜(207),所述高倍显微镜(207)镜头正对测量卡盘(205)。
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