[发明专利]用于切割带的基材膜和切割带

说明书

本发明提供能够兼顾抑制切割工序中的切削屑的产生和提高拾取工序中的拾取性的用于切割带的基材膜以及切割带。本发明的基材膜为用于切割带的基材膜，具有在其上形成有粘着剂层的第1面和与其相对的第2面，由包含热塑性聚酯弹性体的树脂构成，上述热塑性聚酯弹性体是包含硬链段(A)和软链段(B)的嵌段共聚物，所述硬链段(A)以由芳香族二羧酸和脂肪族二醇或脂环式二醇构成的聚酯作为主成分，所述软链段(B)以脂肪族聚醚作为主成分，该基材膜在利用两端固支梁弯曲模式以频率1Hz、升温速度0.5℃/分钟的条件测定动态粘弹性时具有10MPa以上135MPa以下的范围的23℃时的弯曲弹性模量(G’)。

技术领域

本发明涉及在将半导体晶圆切割成芯片状的元件时用于固定该半导体晶圆的用于切割带的基材膜以及使用了该基材膜的切割带。

背景技术

以往，在半导体装置的制造中，为了通过切割(以下，有时简称为“切削”或“切断”)工序将半导体晶圆单片化为半导体芯片，有时使用切割带、由该切割带与芯片粘贴膜一体化而成的切割用芯片粘贴膜。切割带设为在基材膜上设有粘着剂层的形态，用于在粘着剂层上配置半导体晶圆，在切割半导体晶圆时固定保持单片化了的半导体芯片而避免其飞散的用途。然后，将半导体芯片从切割带的粘着剂层剥离，通过另外准备的粘接剂、粘接膜而固定于引线框、配线基板等被粘物上。

切割用芯片粘贴膜是在切割带的粘着剂层上可剥离地设有芯片粘贴膜(以下，有时称为“粘接膜”或“粘接剂层”)的材料。半导体装置的制造中，用以在切割用芯片粘贴膜的芯片粘贴膜上保持半导体晶圆，将半导体晶圆与芯片粘贴膜一起切割而获得各个带粘接膜的半导体芯片。然后，将半导体芯片与芯片粘贴膜一起作为带芯片粘贴膜的半导体芯片而从切割带的粘着剂层剥离，通过芯片粘贴膜而使半导体芯片固定于引线框、配线基板等被粘物上。

在获得上述那样的半导体芯片或带芯片粘贴膜的半导体芯片后，对于处在被保持于切割带的粘着剂层面上、切割用芯片粘贴膜的芯片粘贴膜面上的状态的半导体晶圆，有时会进行刀片切割。该刀片切割中，半导体晶圆、或者半导体晶圆与保持其的切割用芯片粘贴膜的芯片粘贴膜受到高速旋转的切割刀的切削加工，从而单片化为预定尺寸的半导体芯片或带粘接膜的半导体芯片。该刀片切割工序中，为了去除不可避免地产生的切削屑等，一边向切割刀、半导体晶圆供给流水一边进行切削加工。

这样的刀片切割工序中，为了从大径的半导体晶圆工件精确获得半导体芯片或带粘接膜的半导体芯片，优选将它们完全切断、分割的所谓的全切方式，但实际上，考虑到装置的动作精度、所使用的切割带、芯片粘贴膜以及半导体晶圆的厚度精度，对半导体晶圆等从与切割带相反的一面侧切入的切割刀的切入深度有时会到达至切割带的基材膜。该情况下，切割时有时会产生丝屑状的切削屑。对此，认为在基材中，在与高速旋转的切割刀接触的部位产生摩擦热，因该摩擦热而软化熔融的基材构成材料由于受到来自高速旋转的切割刀的拉伸作用而延伸，从而产生丝屑状的切削屑。

该丝屑状的切削屑大多会一直附着于经过了流水供给下的刀片切割工序的半导体芯片上。如果丝屑状的切削屑一直附着于半导体芯片，则产生如下问题：半导体元件的可靠性降低、拾取工序时发生识别错误而无法精确拾取半导体芯片、半导体芯片破裂而无法拾取、或者无法将所拾取的半导体芯片正确取向且高精度地安装等。因此，刀片切割工序中，期望这样的丝屑状的切削屑的产生量更少。

作为抑制切削屑产生的现有技术，引用文献1中，以提供可在全切切割方式中防止切削屑在半导体晶圆表面残留的切割用粘着带为目的，公开了一种半导体晶圆固定用粘着带，其特征在于，其为树脂层与粘着剂层层叠而成，所述树脂层在试验温度190℃时的MFR(熔体质量流动速率)为3以下，且包含具有羧基的构成成分作为聚合物的构成成分。此外，引用文献2中，以提供在半导体晶圆等的切割工序中几乎不产生切削屑的切割用基体膜以及切割膜为目的，公开了一种具有含有包含芳香族聚酰胺的树脂的层的切割用基体膜。