[发明专利]切割鳍状结构的方法

说明书

本发明公开一种切割鳍状结构的方法，包含有下述步骤。首先，提供一光掩模，其中光掩模包含一蛇形图案。接着，形成一光致抗蚀剂层覆盖鳍状结构，其中鳍状结构位于一基底上。之后，进行曝光显影以于光致抗蚀剂层形成一光致抗蚀剂图案，其中光致抗蚀剂图案对应蛇形图案。而后，转移光致抗蚀剂图案并蚀刻鳍状结构的切割部分，以切割鳍状结构。

技术领域

本发明涉及一种切割鳍状结构的方法，且特别是涉及一种应用具有蛇形图案的光掩模切割鳍状结构的方法。

背景技术

随着半导体元件尺寸的缩小，维持小尺寸半导体元件的效能是目前业界的主要目标。为了提高半导体元件的效能，目前已逐渐发展出各种多栅极场效晶体管元件(multi-gate MOSFET)。多栅极场效晶体管元件包含以下几项优点。首先，多栅极场效晶体管元件的制作工艺能与传统的逻辑元件制作工艺整合，因此具有相当的制作工艺相容性；其次，由于立体结构增加了栅极与基底的接触面积，因此可增加栅极对于通道区域电荷的控制，从而降低小尺寸元件带来的漏极引发的能带降低(Drain Induced Barrier Lowering，DIBL)效应以及短通道效应(short channel effect)；此外，由于同样长度的栅极具有更大的通道宽度，因此也可增加源极与漏极间的电流量。其中，多栅极场效晶体管中的立体结构是在基底中形成鳍状结构并使栅极跨设于鳍状结构的上方，且制作工艺中还包含鳍状结构的切割制作工艺以完成集成电路中各元件的布局。

发明内容

本发明提出一种切割鳍状结构的方法，其以包含蛇形图案的光掩模切割鳍状结构，以避免曝光缺陷。

本发明提供一种切割鳍状结构的方法，包含有下述步骤。首先，提供一光掩模，其中光掩模包含一蛇形图案。接着，形成一光致抗蚀剂层覆盖鳍状结构，其中鳍状结构位于一基底上。之后，进行曝光显影以于光致抗蚀剂层形成一光致抗蚀剂图案，其中光致抗蚀剂图案对应蛇形图案。而后，转移光致抗蚀剂图案并蚀刻鳍状结构的切割部分，以切割鳍状结构。

基于上述，本发明提供一种切割鳍状结构的方法，其包含一蛇形图案的一光掩模，形成一光致抗蚀剂层覆盖一基底上的鳍状结构，进行曝光显影以于光致抗蚀剂层中形成对应光掩模的蛇形图案的一光致抗蚀剂图案，以及转移光致抗蚀剂图案并蚀刻鳍状结构的切割部分，因而切割鳍状结构。是以，本发明的蛇形图案可避免例如个别岛状或点状图案曝光失败或者过曝等问题，进而改善鳍状结构的切割缺陷。

附图说明

图1为本发明优选实施例中切割鳍状结构的方法的流程示意图；

图2为本发明优选实施例中切割鳍状结构的方法中光掩模相对鳍状结构的布局示意图；

图3为本发明优选实施例中切割鳍状结构的方法中光致抗蚀剂层覆盖鳍状结构的俯视示意图；

图4为本发明优选实施例中切割后的鳍状结构的俯视示意图；

图5为本发明另一优选实施例中切割鳍状结构的方法中光掩模相对鳍状结构的布局示意图。

主要元件符号说明

10、10a：光掩模

12、12a、12b、12c：蛇形图案

20：光致抗蚀剂层

22：光致抗蚀剂图案

110：基底

112、112a：鳍状结构

112c、112ca、112cb、112cc：切割部分

c：弯曲部分

i：岛状图案

θ：弯曲角度

S1、S2、S3、S4：步骤

具体实施方式