[发明专利]一种断路器电源的电容保护电路在审
| 申请号: | 202110589557.3 | 申请日: | 2021-05-28 |
| 公开(公告)号: | CN113541106A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
| 发明(设计)人: | 王朝亮;肖涛;陆春光;刘炜;李亦龙 | 申请(专利权)人: | 国网浙江省电力有限公司营销服务中心 |
| 主分类号: | H02H7/16 | 分类号: | H02H7/16;H02H3/20 |
| 代理公司: | 浙江翔隆专利事务所(普通合伙) 33206 | 代理人: | 许守金;张建青 |
| 地址: | 311100 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 断路器 电源 电容 保护 电路 | ||
1.一种断路器电源的电容保护电路,其特征在于,
包括整流器、电压传感器、开关器件、至少一个电容器;
所述整流器,用于将交流电源转换成直流电源;
所述电压传感器,用于检测直流电源线路上的电压;
所述开关器件,用于控制电容器的通断,其包括场效应管或/和三极管或/和IGBT晶体管;
所述电容器,用来滤除交流成分、使输出的直流更平稳;
所述开关器件导通时为低阻状态,关断时为高阻状态,其与电容器串联;
当电压超过设定值时,开关器件关断,以使电容器不被高压损伤;
当电压低于设定值时,开关器件导通,以使电容器能正常充放电。
2.如权利要求1所述的一种断路器电源的电容保护电路,其特征在于,
所述整流器为三相半波整流模块,其包括二极管D1、二极管D2、二极管D3。
3.如权利要求1所述的一种断路器电源的电容保护电路,其特征在于,
所述电压传感器,用于检测整流后的直流电压母线电压VDc,其包括电阻R1、电阻R2和齐纳二极管D4。
4.如权利要求1所述的一种断路器电源的电容保护电路,其特征在于,
所述开关器件为电容保护模块,能吸收击穿电压,其包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、齐纳二极管D4、齐纳二极管D5、三极管Q1和场效应管Q2。
5.如权利要求5所述的一种断路器电源的电容保护电路,其特征在于,
当电阻R1和电阻R2分压的电压未到达击穿电压时,三极管Q1的集电极与发射极不导通;
场效应管Q2的场效应管从电阻R3取得电压使场效应管Q2导通,齐纳二极管D5连接在场效应管Q2的栅极与源极,以保证场效应管Q2的栅极与源极控制在安全值;
此时电流能经过场效应管Q2给电容C5充电;
当电阻R1和电阻R2分压的电压到达击穿电压时,三极管Q1将导通,场效应管Q2的栅极与源极的电压会被拉低,使场效应管Q2的漏极与源极关断;
此时场效应管Q2是高阻状态,母线电压VDc的大部分电压会施加到场效应管Q2上;而电容C5两端的电压非常小;
此时电容C5无法进行充放电,实现电容C5的保护。
6.如权利要求6所述的一种断路器电源的电容保护电路,其特征在于,
击穿电压Vt值的计算公式如下:
Vz为齐纳二极管D4的击穿电压;
Vbe为三极管Q1的基极与发射极电压;
所述击穿电压Vt值要低压电容C5的安全电压值。
7.如权利要求1所述的一种断路器电源的电容保护电路,其特征在于,
电容器包括至少一个电容,其一端连接在整流器输出的母线电压VDc上,另一端与开关器件连接。
8.如权利要求1所述的一种断路器电源的电容保护电路,其特征在于,
还包括直流转直流变换器、负载;
所述直流转直流变换器及负载通过场效应管Q2获得电容C5的能量。
9.如权利要求1-8任一所述的一种断路器电源的电容保护电路,其特征在于,
还包括控制模块,所述控制模块用于控制开关器件导通或关闭,并接收电压传感器的检测信号;
当电压超过设定值时,控制模块控制与电容器串联的开关器件关断,以使电容器不被高压损伤;
当电压低于设定值时,控制模块控制与电容器模块串联的开关器件导通,以使电容器能正常充放电。
10.如权利要求9所述的一种断路器电源的电容保护电路,其特征在于,
所述控制模块包括模拟电路或数字电路或单片机或专用芯片。
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