[发明专利]声表面波装置

说明书

本发明提出了一种声表面波装置，包括：压电基板；IDT电极，设置在所述压电基板上，所述IDT电极包括：第一缓冲层，设置在所述压电基板上，所述第一缓冲层包括金属钛，在将所述IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述第一缓冲层的厚度为0.5％λ以下；第一金属层，设置在所述第一缓冲层远离所述压电基板的表面上，所述第一金属层包括铝,所述第一金属层的厚度范围在1％λ‑30％λ之间。根据本发明的声表面波装置，能够提高Al的抗电迁移性能，声表面波装置的耐受功率得以提高，并且耐久性得到兼顾，并且能够降低声表面波装置的频率温度系数，提高声表面波装置的温度稳定性。

技术领域

本发明涉及声表面波技术领域，具体而言，涉及一种声表面波装置。

背景技术

SAW滤波器的关键指标中，主要的有两类，一类是小信号参数，另一类是功率指标。其中小信号参数即S参数表征器件在实际使用中的性能优劣，而功率指标则主要是器件的最大耐受功率(烧毁临界功率)。

目前SAW滤波器支持的最大耐受功率仅能满足4G下的手机客户端、物联网客户端的功率需求。在5G要求下，如B41等频段对于功率需求相对于4G有所增长。这导致了市面上的SAW滤波器无法满足5G高功率需求。

此外，随着器件频率的提高，IDT(Interdigital transducer)电极的线条将变得更加细小，来自于声表面波的重复应力随着频率提高而急剧增加，导致滤波器失效，因此在SAW滤波器的最大耐受功率提高时，耐久性会降低，。

现有技术中亟需一种技术能够提高SAW滤波器的最大耐受功率，也不会降低耐久性。

发明内容

为了解决现有技术中的相关问题，本发明提供了一种声表面波装置，包括：包括：压电基板；压电基板的切向角，IDT电极，设置在所述压电基板上，所述IDT电极包括：第一缓冲层，设置在所述压电基板上，所述第一缓冲层包括金属钛，在将所述IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述第一缓冲层的厚度为0.5％λ以下；第一金属层，设置在所述第一缓冲层远离所述压电基板的表面上，所述第一金属层包括铝,所述第一金属层的厚度范围在1％λ-30％λ之间。

其中，所述铝的含量在95wt％以上，所述第一金属层还包括选自Cu、W、Mo、Cr、Ag、Pt、Ga、Nb、Ta、Au、Si中的一种或一种以上的材料。

其中，所述铝的含量在97wt％以上。

其中，所述金属钛的含量在98％以上，所述第一缓冲层还包括选自Al、Si、Mg中的一种或一种以上的材料。

如前所述的声表面波装置，还包括：钝化层，设置在所述第一金属层远离所述压电基板的表面上，所述钝化层包括氧化硅、氮化硅、氮化铝、氟化铝中的任意一种或多种，所述钝化层的厚度由以下公式确定：

Hp＝T1*Hb1+T3*Hm1+T5*Hs

其中，Hp为钝化层的厚度，Hb1为第一缓冲层的厚度；T1为第一缓冲层的温度补偿系数，Hm1为第一金属层的厚度；T3为第一金属层的温度补偿系数，Hs为压电基板的厚度，T5为压电基板的温度补偿系数。

如前所述的声表面波装置，还包括：第二缓冲层，设置在所述第一金属层远离所述压电基板的表面上，所述第二缓冲层包括选自Ti、W、Mo、Mg中的一种或一种以上的金属，所述第二缓冲层的厚度为2％λ以下；第二金属层，设置在所述第二缓冲层远离所述压电基板的表面上，所述第二金属层与所述第一金属层的成分相同。

如前所述的声表面波装置，还包括：所述第二金属层包括铝和铜，所述铜的质量百分比为0.5％-3％。