[发明专利]声表面波装置

权利要求书

1.一种声表面波装置，包括：

压电基板；

IDT电极，设置在所述压电基板上，所述IDT电极包括：

第一缓冲层，设置在所述压电基板上，所述第一缓冲层包括金属钛，在将所述IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述第一缓冲层的厚度为0.5％λ以下；

第一金属层，设置在所述第一缓冲层远离所述压电基板的表面上，所述第一金属层包括铝,所述第一金属层的厚度范围在1％λ-30％λ之间。

2.如权利要求1所述的声表面波装置，其中，所述铝的含量在95wt％以上，所述第一金属层还包括选自Cu、W、Mo、Cr、Ag、Pt、Ga、Nb、Ta、Au、Si中的一种或一种以上的材料。

3.如权利要求2所述的声表面波装置，其中，所述铝的含量在97wt％以上。

4.如权利要求1所述的声表面波装置，其中，所述金属钛的含量在98％以上，所述第一缓冲层还包括选自Al、Si、Mg中的一种或一种以上的材料。

5.如权利要求1-4中任一所述的声表面波装置，还包括：

钝化层，设置在所述第一金属层远离所述压电基板的表面上，所述钝化层包括氧化硅，所述钝化层的厚度由以下公式确定：

Hp＝T1*Hb1+T3*Hm1+T5*Hs

其中，Hp为钝化层的厚度，Hb1为第一缓冲层的厚度；T1为第一缓冲层的温度补偿系数，Hm1为第一金属层的厚度；T3为第一金属层的温度补偿系数，Hs为压电基板的厚度，T5为压电基板的温度补偿系数。

6.如权利要求1或2所述的声表面波装置，还包括：

第二缓冲层，设置在所述第一金属层远离所述压电基板的表面上，所述第二缓冲层包括选自Ti、W、Mo、Mg中的一种或一种以上的金属，所述第二缓冲层的厚度为2％λ以下；

第二金属层，设置在所述第二缓冲层远离所述压电基板的表面上，所述第二金属层与所述第一金属层的成分相同。

7.如权利要求6所述的声表面波装置，还包括：

所述第二金属层包括铝和铜，所述铜的质量百分比为0.5％-3％。

8.如权利要求6所述的声表面波装置，其中，

所述IDT电极的厚度在100-500nm之间，所述第一金属层的厚度为所述IDT电极厚度10％-50％，所述第二金属层的厚度为所述IDT电极厚度10％-50％，第一缓冲层的厚度为所述IDT电极厚度0.2％-1％，第二缓冲层的厚度为所述IDT电极厚度0.4％-2％。

9.如权利要求7-8中任一所述的声表面波装置，其中，

所述第一金属层在所述压电基板上的正投影面积小于所述第一缓冲层在所述压电基板上的正投影面积，所述第二缓冲层在所述压电基板上的正投影面积小于所述第二金属层在所述压电基板上的正投影面积，所述第二金属层在所述压电基板上的正投影面积小于所述第二缓冲层在所述压电基板上的正投影面积，

所述第一缓冲层、所述第二缓冲层、所述第一金属层和所述第二金属层远离所述压电基板的表面的面积小于靠近所述压电基板的表面的面积。

10.如权利要求7-8中任一所述的声表面波装置，还包括：

钝化层，设置在所述第一金属膜层远离所述压电基板的表面上，所述钝化层包括氧化硅，所述钝化层的厚度与所述IDT电极的厚度由以下公式确定：

Hp＝T1*Hb1+T2*Hb2+T3*Hm1+T4*Hm2+T5*Hs

其中，Hp为钝化层的厚度，Hb1为第一缓冲层的厚度；T1为第一缓冲层的温度补偿系数，Hb2为第二缓冲层的厚度；T2为第二缓冲层的温度补偿系数，Hm1为第一金属层的厚度；T3为第一金属层的温度补偿系数，Hm2为第二金属层的厚度；T4为第二金属层的温度补偿系数，Hs为压电基板的厚度，T5为压电基板的温度补偿系数。