[发明专利]一种温度传感器、器件

说明书

本申请实施例提供了一种温度传感器和器件。该温度传感器包括：电流获取单元和检测单元；电流获取单元包括：基底，位于所述基底一侧的电极层、绝缘层和半导体层，半导体层位于绝缘层远离基底一侧；电流获取单元被配置为通过电极层接收电信号，以形成流过绝缘层和半导体层的电流，并将电流传输给检测单元；检测单元与电流获取单元连接，被配置为接收电流，并检测电流的电流值，根据电流值确定待测器件的温度值，待测器件上集成有温度传感器。本申请实施例提供的温度传感器设计了一种新的温度检测方法，能够实现低功耗探测，不影响待测器件性能。

技术领域

本申请涉及传感与器件技术领域，具体而言，本申请涉及一种温度传感器、器件。

背景技术

温度是很多器件失效之前首先表现出异常的指标之一，对温度的监控可以更好的了解器件的特性，也可以更好的预防器件失效并做出相应的预警，因此，简易且准确的温度传感器的集成就变的十分有必要。

发明内容

本申请提出一种温度传感器、器件，用以提出一种新的测量温度的温度传感器。

本申请实施例提供了一种温度传感器，包括：

电流获取单元，包括：基底，位于所述基底一侧的电极层、绝缘层和半导体层，所述半导体层位于所述绝缘层远离所述基底一侧；所述电流获取单元被配置为通过所述电极层接收电信号，以形成流过所述绝缘层和所述半导体层的电流，并将所述电流传输给检测单元；

检测单元，与所述电流获取单元连接，被配置为接收所述电流，并检测所述电流的电流值，根据所述电流值确定待测器件的温度值，所述待测器件上集成有所述温度传感器。

可选地，所述电极层包括第一电极层和第二电极层；

所述第一电极层和所述第二电极层同层设置，且通过所述绝缘层绝缘设置；

所述绝缘层位于所述第一电极层和所述第二电极层远离所述基底一侧；

所述半导体层包覆所述第一电极层和所述第二电极层。

可选地，所述第一电极层和所述第二电极层呈叉指状设置；

所述绝缘层沿垂直于所述基底方向上的厚度小于叉指间距。

可选地，所述半导体层的材料包括本征非晶硅或轻掺杂非晶硅。

可选地，所述电极层包括第一电极层和第二电极层；

所述第一电极层位于所述基底一侧；

所述绝缘层位于所述第一电极层远离所述基底一侧；

所述第二电极层位于所述半导体层远离所述基底一侧。

可选地，所述半导体层在所述基底上的正投影区域的面积大于所述第一电极层在所述基底上的正投影区域的面积。

可选地，所述半导体层包括第一半导体层和第二半导体层；

所述第一半导体层靠近所述基底设置，所述第二半导体层远离所述基底设置；

所述第一半导体层的材料包括本征非晶硅或轻掺杂非晶硅；

所述第二半导体层的材料包括重掺杂非晶硅。

可选地，所述电流获取单元还包括钝化层；

所述钝化层覆盖所述电极层和所述半导体层。

本申请实施例提供了一种器件，集成有前述实施例示意的温度传感器。

可选地，所述器件包括：显示器件、生物芯片、电池中的一种或多种。

本申请实施例提供的技术方案至少带来以下有益效果：