[发明专利]一种温度传感器、器件

权利要求书

1.一种温度传感器，其特征在于，包括：

电流获取单元，包括：基底，位于所述基底一侧的电极层、绝缘层和半导体层，所述半导体层位于所述绝缘层远离所述基底一侧；所述电流获取单元被配置为通过所述电极层接收电信号，以形成流过所述绝缘层和所述半导体层的隧穿电流，并将所述电流传输给检测单元；

检测单元，与所述电流获取单元连接，被配置为接收所述电流，并检测所述电流的电流值，根据所述电流值确定待测器件的温度值，所述待测器件上集成有所述温度传感器。

2.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，所述电极层包括第一电极层和第二电极层；

所述第一电极层和所述第二电极层同层设置，且通过所述绝缘层绝缘设置；

所述绝缘层位于所述第一电极层和所述第二电极层远离所述基底一侧；

所述半导体层包覆所述第一电极层和所述第二电极层。

3.根据权利要求2所述的温度传感器，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层呈叉指状设置；

所述绝缘层沿垂直于所述基底方向上的厚度小于叉指间距。

4.根据权利要求2或3所述的温度传感器，其特征在于，所述半导体层的材料包括本征非晶硅或轻掺杂非晶硅。

5.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，所述电极层包括第一电极层和第二电极层；

所述第一电极层位于所述基底一侧；

所述绝缘层位于所述第一电极层远离所述基底一侧；

所述第二电极层位于所述半导体层远离所述基底一侧。

6.根据权利要求5所述的温度传感器，其特征在于，所述半导体层在所述基底上的正投影区域的面积大于所述第一电极层在所述基底上的正投影区域的面积。

7.根据权利要求5或6所述的温度传感器，其特征在于，所述半导体层包括第一半导体层和第二半导体层；

所述第一半导体层靠近所述基底设置，所述第二半导体层远离所述基底设置；

所述第一半导体层的材料包括本征非晶硅或轻掺杂非晶硅；

所述第二半导体层的材料包括重掺杂非晶硅。

8.根据权利要求1-3、5-6任一项所述的温度传感器，其特征在于，所述电流获取单元还包括钝化层；

所述钝化层覆盖所述电极层和所述半导体层。

9.一种具有温度监控功能的器件，其特征在于，集成有如权利要求1-8任一项所述的温度传感器。

10.根据权利要求9所述的具有温度监控功能的器件，其特征在于，所述具有温度监控功能的器件包括：显示器件、生物芯片、电池中的一种或多种。