[发明专利]基于白光干涉时频域分析的薄膜形貌检测系统及方法

说明书

本发明涉及一种基于白光干涉时频域分析的薄膜形貌检测方法及系统，通过彩色相机与黑白相机分别获取薄膜单帧彩色图像以及薄膜白光干涉扫描信号；使用彩色相机薄膜反射成像模型拟合获取薄膜厚度初值；将白光干涉垂直扫描信号序列的归一化傅里叶变换幅值与由白光薄膜干涉模型得到的理论归一化傅里叶幅值进行拟合，得到薄膜厚度值；将薄膜厚度值带入薄膜白光干涉模型得到理论时域信号，与干涉信号进行拟合得到薄膜上表面高度；将上表面高度减去薄膜厚度得到薄膜下表面高度。本发明能够在单次垂直扫描后获取全视场内薄膜的厚度以及上表面高度，进而可以重建薄膜结构的上下表面形貌，具有较好的测量重复性。

技术领域

本发明属于薄膜形貌检测领域，涉及白光垂直扫描干涉技术。尤其是一种基于白光干涉时频域分析的薄膜形貌检测系统及方法。

背景技术

在半导体产品的制造工艺中，硅晶圆表面的器件结构层绝大多数都是通过薄膜生长的方式完成的。器件的性能主要取决于薄膜的材料与结构等，因此在薄膜的制备过程中需要精确控制各参数。薄膜制备过程中的实时反馈以及成膜后的性能测试等，都离不开薄膜检测技术。薄膜厚度以及表面形貌是薄膜检测中最为重要的参数及信息。

目前测量薄膜形貌的方法主要有相干峰探测法、全光谱拟合法以及干涉光谱法等方法。相干峰探测法通过分离白光垂直扫描信号中薄膜上下表面的相干峰的距离可以获得薄膜厚度以及表面高度，但相干峰探测算法可测得的最薄厚度受限于光源相干长度；全光谱拟合法对薄膜待测样品与参考样品的反射光谱的对比获得反射率，通过反射率拟合薄膜的厚度，但全光谱拟合法只能获取薄膜厚度而无法获得表面高度信息；干涉光谱法通过干涉光谱信号的相位信息可以获得薄膜厚度以及表面高度信息，但干涉光谱法由于分光元件的限制水平分辨力较低，无法进行全视场测试。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种可以在单次白光垂直扫描信号中获取全视场下薄膜微纳结构的厚度以及表面形貌。

实现本发明目的的技术方案：

一种基于白光干涉时频域分析的薄膜形貌检测系统，包括有用于放置样品的载物台，所述载物台上方由下至上沿光路依次设置有干涉物镜、压电陶瓷定位器、第一分光棱镜、第二透镜、第二分光棱镜和彩色/黑白CMOS相机，所述第一分光棱镜的入射光路上由内向外设置有第一透镜和白光宽谱光源，所述第二分光棱镜的出射光路由内向外设置有第三透镜和光谱仪，所述CMOS相机的信号输入输出端、光谱仪的信号输入输出端和压电陶瓷定位器的信号输入输出端分别连接计算机。

一种基于白光干涉时频域分析的薄膜形貌检测方法，包括如下步骤：

1)通过光谱仪对系统参数进行标定；

2)通过彩色CMOS相机与黑白CMOS相机分别获取薄膜单帧彩色图像E_sample，C以及薄膜白光干涉扫描信号；

3)使用彩色相机薄膜反射成像模型拟合获取薄膜厚度初值；

4)将白光干涉垂直扫描信号序列的归一化傅里叶变换幅值与由白光薄膜干涉模型得到的理论归一化傅里叶幅值进行拟合，得到薄膜准确厚度。

5)将薄膜厚度值带入薄膜白光干涉模型得到理论时域信号与干涉信号进行拟合得到薄膜上表面高度。

6)将上表面高度减去薄膜厚度得到薄膜下表面高度，重建薄膜上下表面形貌。

步骤1)包括：

(1.1)打开白光宽谱光源，在干涉物镜测量端放置裸硅；

(1.2)关闭参考端，在无干涉位置光谱仪采集测量端光强I_s0；

(1.3)保持关闭参考端，撤去裸硅，光谱仪采集挡光片的反射光强I_b；