[发明专利]光刻胶中金属离子的纯化方法

权利要求书

1.一种光刻胶中金属离子的纯化方法，所述纯化方法包括如下步骤：

将含有巯基官能团的固体吸附剂和待处理的光刻胶混合，分离，得到纯化后的光刻胶。

2.根据权利要求1所述的纯化方法，其中，所述含有巯基官能团的固体吸附剂选自含有巯基官能团的树脂、含有巯基官能团的硅胶、含有巯基官能团的纳米颗粒。

3.根据权利要求1或2所述的纯化方法，其中，所述含有巯基官能团的固体吸附剂中巯基官能团的含量为1～3mmol/g；

优选地，所述含有巯基官能团的硅胶中巯基官能团的含量为1.32mmol/g；所述含有巯基官能团的树脂中巯基官能团的含量为2.56mmol/g。

4.根据权利要求1-3任一项所述的纯化方法，其中，所述待处理的光刻胶为193nm干式光刻胶、193nm浸没式光刻胶和193nm极紫外光刻胶等中的至少一种。

5.根据权利要求1-4任一项所述的纯化方法，所述光刻胶存在的体系为有机溶液体系，所述有机溶液体系中含有成膜主体材料、感光剂(如光致产酸剂)、助剂和溶剂等。所述溶剂为光刻胶体系常规使用的有机溶剂，例如酯类：乳酸乙酯、醋酸丁酯、丙二醇单甲醚醋酸酯；醚类：丙二醇二甲醚、乙二醇单甲醚；酮类：环己酮、甲基正戊酮、甲基异戊酮。

6.根据权利要求1-5任一项所述的纯化方法，其中，所述混合过程是在物料搅拌或恒温震荡的条件下进行的。

7.根据权利要求1-6任一项所述的纯化方法，其中，所述混合的温度为25～90℃。

8.根据权利要求1-7任一项所述的纯化方法，其中，所述混合的时间为0.5～30h。

9.根据权利要求1-8任一项所述的纯化方法，其中，所述含有巯基官能团的固体吸附剂和待处理的光刻胶的质量体积比为50g/5L～500g/5L。

10.根据权利要求1-9任一项所述的纯化方法，其中，所述纯化后的光刻胶中各金属离子的含量小于5ppb。