[发明专利]氢化氧化锌纳米材料及其制备方法、薄膜以及光电器件在审

专利信息
申请号: 202110564800.6 申请日: 2021-05-24
公开(公告)号: CN115394943A 公开(公告)日: 2022-11-25
发明(设计)人: 郭煜林;吴龙佳;张天朔;李俊杰;童凯 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/54 分类号: H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 黄舒悦
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 氢化 氧化锌 纳米 材料 及其 制备 方法 薄膜 以及 光电 器件
【权利要求书】:

1.一种氢化氧化锌纳米材料,其特征在于,所述氢化氧化锌纳米材料包括氢化氧化锌纳米颗粒,所述氢化氧化锌纳米颗粒是将氧化锌纳米颗粒经由氢化还原反应获得,其中所述氢化氧化锌纳米颗粒在波长为500纳米至600纳米的范围内的缺陷发光峰的荧光强度比所述氧化锌纳米颗粒在相同波长位置处的缺陷发光峰的荧光强度至少减弱17%。

2.根据权利要求1所述的氢化氧化锌纳米材料,其特征在于,所述氢化氧化锌纳米颗粒的粒径为10纳米至100纳米。

3.一种氢化氧化锌纳米材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

提供氧化锌纳米颗粒,向所述氧化锌纳米颗粒中加入还原剂以进行氢化还原反应,其中所述氧化锌纳米颗粒与所述还原剂的摩尔比为1.0:(0.1~1.0),获得含有氢化氧化锌的反应液;以及

对所述含有氢化氧化锌的反应液进行固液分离处理,获得所述氢化氧化锌纳米颗粒;

其中,所述氢化氧化锌纳米颗粒在波长为500纳米至600纳米的范围内的缺陷发光峰的荧光强度,比所述氧化锌纳米颗粒在相同位置处的缺陷发光峰的荧光强度至少减弱17%。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述还原剂为硼氢盐、抗坏血酸、硫化盐以及亚硫酸盐中的至少一种。

5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述氢化还原反应的反应温度为50摄氏度至70摄氏度,反应时间为0.5小时至4小时。

6.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述对所述含有氢化氧化锌的反应液进行固液分离处理,包括步骤:向所述含有氢化氧化锌的反应液中加入有机溶剂,以析出获得所述氢化氧化锌纳米颗粒。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述含有氢化氧化锌的反应液与所述有机溶剂的体积比为1.0:(1.0~6.0)。

8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述有机溶剂为丙酮和/或乙酸乙酯。

9.一种薄膜,其特征在于,所述薄膜的原料包括如权利要求1或2所述的氢化氧化锌纳米材料,或采用如权利要求3至8任一项所述的制备方法制得的氢化氧化锌纳米材料制备而成。

10.一种光电器件,其特征在于,所述光电器件包括:

第一电极;

功能层,设置于所述第一电极上;以及

第二电极,设置于所述功能层远离所述第一电极的一侧;

其中,所述功能层包括电子传输层,所述电子传输层是采用如权利要求1或2所述的氢化氧化锌纳米材料制备而成,或采用如权利要求3至8任一项中所述的制备方法制得的氢化氧化锌纳米材料制备而成,或采用如权利要求9所述的薄膜制备而成。

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